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ROHM開發(fā)出內(nèi)置SiC二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出650V耐壓、內(nèi)置SiC肖特基勢壘二極管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)“AEC-Q101*1”。該產(chǎn)品適用于以電氣化車輛為首的電動汽車（xEV）中的車載充電器和DC/DC... （來源：新品頻道）

ROHMIGBTRGWxx65C 2021-7-8 16:22