遵循高速通信I3C標準，搭載HUB功能，為大容量數據處理作出貢獻美蓓亞三美株式會社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的艾普凌科有限公司（ABLIC Inc.，總裁：田中誠司，總部地址：東京都港區，下稱“ABLIC”）今天推出了DDR5存儲器模塊用IC的SPD「S-34HTS08AB」。 今天推出的新產品「S-34HTS08AB」作為面向... （來源：新品頻道）
ABLIC DDR5存儲器模塊 SPD S－34HTS08AB 2024-8-29 10:00
—全新的高能效 EPYC 嵌入式 9004 系列融入了嵌入式系統優化功能、更強的安全性和至多 96 顆核心的可擴展性 ——西門子和研華成為基于 EPYC 嵌入式 9004 系列部署解決方案的首批客戶 —2023 嵌入式世界大會（2 號廳 2-411 號展位）— AMD （超威，納斯達克股票代碼：AMD）今日宣布，將以 AMD EPYC͐... （來源：新品頻道）
AMD第四代 AMD EPYC 處理器 2023-3-15 09:50
隨著 DRAM 內存容量和頻率的持續增長，現有電腦內存的安全性也一直沒有得到提升。近日，JEDEC固態技術協會宣布的最新第一代協議是由對DRAM容量和帶寬的需求增加，以及在計算系統中附加新興的持久內存的靈活方法所驅動的。NVDIMM-P 內存能夠在意外斷電時保留原有數據，與英特爾傲騰（Optane）內存芯片比... （來源：技術文章頻道）
NVDIMMNANDDRAM 內存容量 2021-3-17 10:16
據外媒報道，英特爾至強處理器CPU的大規模路線圖已在網上泄露，該路線圖顯示了已知的英特爾至強ice lake、Sapphire Rapids以及英特爾正在開發的一些未知處理器未來兩年的發展規劃，概述了已經上市、正在開發、正在規劃中以及正處于概念階段的至強處理器，所涉及的行業包括HPC（高性能計算）、CSP（云服... （來源：新聞頻道）
英特爾 2020-10-26 12:03
新思科技宣布推出業界首個用于Double Date Rate 5 (DDR5) DRAM/DIMM且符合JEDEC DDR5 (JESD79-5)標準的驗證IP (VIP)。DDR5是隨機存取存儲器(RAM)的下一代標準。新規范為云、物聯網、高性能服務器和工作站、超大規模數據中心和大數據等廣泛的企業應用帶來更高的性能和更低的功耗。 新思科技VC VIP... （來源：新聞頻道）
新思科技JEDEC DDR5驗證IP 2020-8-27 09:02
作者：Ian Sagan，Marvell 現場技術支持工程師 NVMe™作為一種SCSI的替代型協議，其目的在于實現低延遲運行。目前市場上主要的服務器和存儲供應商都采用了該協議，用來替代固態硬盤（SSD）訪問過程中的SCSI協議。采用NVMe協議后，基于NVMe的SSD可以消除傳統存儲實施... （來源：新聞頻道）
MarvellSSD存儲器 NVMe－over－Fabrics方案 2019-9-25 11:29
作者：Ian Sagan，Marvell 現場技術支持工程師 NVMe™作為一種SCSI的替代型協議，其目的在于實現低延遲運行。目前市場上主要的服務器和存儲供應商都采用了該協議，用來替代固態硬盤 （SSD）訪問過程中的SCSI協議。采用NVMe協議后，基于NVMe的SSD可以消除傳統存儲實施過程中固有的瓶頸。由此，對于... （來源：技術文章頻道）
SSD驅動器機械硬盤SCSI 2019-9-25 10:06
-新思科技宣布為新一代存儲級內存設計推出業內首個DDR5 NVDIMM-P驗證IP-本地SystemVerilog VIP采用內置覆蓋、驗證規劃、內存感知調試和性能分析新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達克股票代碼：SNPS）近日宣布為DDR5/4非易失性雙列直插式內存模塊(NVDIMM-P)，推出業內首個驗證IP (VIP)。NVDIMM-P是新一代... （來源：新聞頻道）
新一代存儲級內存 DDR5 NVDIMM－P驗證IP 2019-5-7 09:17
國際領先的定制化芯片（ASIC）設計方案提供商及DDR控制器和物理層IP供應商——燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導體”）日前對外宣布推出基于SMIC40LL工藝的第二代DDR低功耗物理層IP，該IP與第一代的低功耗DDR PHY相比面積減少20%， 功耗減少37%，物理實現時間減少50%。第二代DDR低功耗物... （來源：新品頻道）
燦芯半導體 第二代DDR低功耗物理層IP 2018-3-1 10:06
Analog Devices, Inc. (ADI)宣布推出 Power by Linear™的LTC3351，該器件是一款超級電容器充電器和后備電源控制器 IC，包括了熱插拔前端保護以及所有必要功能，以提供一個完整、獨立、基于電容器的后備電源解決方案。LTC3351 集成的熱插拔控制器和電路斷路器采用 N 溝道 MOSFET，提供從輸入到輸出... （來源：新品頻道）
超級電容器后備電源控制器 ADI LTC3351 2018-1-29 13:09
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