日立的電源器件部門宣布推出2款高壓IGBT模塊。新型3.3KV MBN1000E33E2和MBN1500E33E2 IGBT模塊分別可以提供1000A和1500A的額定電流。新型模塊是利用日立的新型E2系列精密型芯片工藝技術(shù)制造而成的,該工藝實(shí)現(xiàn)了更加經(jīng)濟(jì)的生產(chǎn)工藝,提高了電流承受能力,并且增加了有效芯片單元面積。使用E2系列技術(shù)使... (來源:新品頻道)
Hitachi 高壓IGBTE2系列技術(shù) 2009-4-10 14:31