太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術創(chuàng)新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。 其中一項創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽能系統(tǒng)的性能，也能提升整個系統(tǒng)的效率，此外，在保證縮小系... （來源：技術文章頻道）
TOLL GaN 太陽能電源能源SIC 2025-12-12 11:34
全新金屬箔電阻提供高精度、高穩(wěn)定性與優(yōu)異性能，專為因應當今嚴苛的應用需求而設計。 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商，推出四款 Riedon™ 金屬箔電阻系列，包括 FWP227 系列、 FWP218 系列、FWP220/221 系列 和 FWU 系列。這些產(chǎn)品針對高精度、高穩(wěn)... （來源：新品頻道）
Bourns 電阻 2025-12-12 09:04
頂部冷卻（Top-cool）封裝為電動汽車、太陽能基礎設施和儲能系統(tǒng)帶來卓越的散熱性能、可靠性及設計靈活性 中國上海 - 2025年12月 5日--安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)宣布推出采用行業(yè)標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業(yè)應用的電源封裝技術帶來突破。... （來源：新品頻道）
安森美散熱封裝MOSFET 2025-12-5 16:12
在新能源產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的當下，碳化硅技術作為提升功率密度、優(yōu)化能源效率的關鍵，備受行業(yè)關注。中電網(wǎng)10月份《新材料》主題月聚焦新材料領域，特邀安森美碳化硅技術專家 Jiahao Niu、電源方案事業(yè)部業(yè)務拓展經(jīng)理 Sean Gao 及 Hank Zhao，深入探討安森美在碳化硅技術的布局與成果。 聚... （來源：新聞頻道）
碳化硅技術EliteSiC M3e MOSFET封裝技術 2025-10-22 15:12
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇，但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優(yōu)勢（圖1），這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心，以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能... （來源：新聞頻道）
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
通過一系列參考設計和產(chǎn)品演示，Vishay將重點展示在人工智能服務器、智能座艙、車載計算平臺等領域廣泛的半導體與無源技術產(chǎn)品組合 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，公司在PCIM Asia 2025上展示其最新的半導體和無源電子技術。歡迎各位觀眾光臨C4... （來源：新聞頻道）
Vishay人工智能電動汽車 2025-9-24 14:03
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布擴展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET產(chǎn)品組合，新增 75 mΩ 規(guī)格型號，以滿足市場對更緊湊、更高功率密度系統(tǒng)的需求。該系列器件提供多種封裝選擇，包括... （來源：新品頻道）
英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-9-23 09:23
iDEAL Semiconductor的SuperQ™技術現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進入送樣階段。 SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電... （來源：新品頻道）
iDEALSuperQMOSFET 2025-7-18 13:22
Nexperia今日宣布，在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J和PSC20120L專為滿足工業(yè)應用中對超低功耗整流器的需求而設計，可在高能效能量轉換場景中發(fā)揮關鍵作用。這類器件尤其適用于高功率人工智能(AI)服務器基礎設施和電信設備電源及太陽能逆變... （來源：新品頻道）
Nexperia肖特基二極管SiCPSC20120J 2025-7-11 15:36
這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W，并配有易于吸附焊錫的側翼，從而改善工業(yè)應用的熱性能和可焊性 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款采用無引線鍵合（BWL）封裝并具有業(yè)內(nèi)先進導通電阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N... （來源：新品頻道）
Vishay MOSFET導通電阻 2025-5-30 11:04
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