太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強,光伏逆變器的性能是技術創(chuàng)新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。 其中一項創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統(tǒng)。GaN 不僅能提高太陽能系統(tǒng)的性能,也能提升整個系統(tǒng)的效率,此外,在保證縮小系... (來源:技術文章頻道)
TOLL GaN 太陽能電源能源SIC 2025-12-12 11:34
全新金屬箔電阻提供高精度、高穩(wěn)定性與優(yōu)異性能,專為因應當今嚴苛的應用需求而設計。 Bourns 全球知名電源、保護和傳感解決方案電子組件領導制造供貨商,推出四款 Riedon™ 金屬箔電阻系列,包括 FWP227 系列、 FWP218 系列、FWP220/221 系列 和 FWU 系列。這些產(chǎn)品針對高精度、高穩(wěn)... (來源:新品頻道)
Bourns 電阻 2025-12-12 09:04
頂部冷卻(Top-cool)封裝為電動汽車、太陽能基礎設施和儲能系統(tǒng)帶來卓越的散熱性能、可靠性及設計靈活性 中國上海 - 2025年12月 5日--安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)宣布推出采用行業(yè)標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET,為汽車和工業(yè)應用的電源封裝技術帶來突破。... (來源:新品頻道)
安森美散熱封裝MOSFET 2025-12-5 16:12
在新能源產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的當下,碳化硅技術作為提升功率密度、優(yōu)化能源效率的關鍵,備受行業(yè)關注。中電網(wǎng)10月份《新材料》主題月聚焦新材料領域,特邀安森美碳化硅技術專家 Jiahao Niu、電源方案事業(yè)部業(yè)務拓展經(jīng)理 Sean Gao 及 Hank Zhao,深入探討安森美在碳化硅技術的布局與成果。 聚... (來源:新聞頻道)
碳化硅技術EliteSiC M3e MOSFET封裝技術 2025-10-22 15:12
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其優(yōu)異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅,碳化硅具備多項技術優(yōu)勢(圖1),這使其在電動汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能... (來源:新聞頻道)
碳化硅Cascode JFET碳化硅器件氮化鎵 2025-10-15 13:15
通過一系列參考設計和產(chǎn)品演示,Vishay將重點展示在人工智能服務器、智能座艙、車載計算平臺等領域廣泛的半導體與無源技術產(chǎn)品組合 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,公司在PCIM Asia 2025上展示其最新的半導體和無源電子技術。歡迎各位觀眾光臨C4... (來源:新聞頻道)
Vishay人工智能電動汽車 2025-9-24 14:03
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布擴展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET產(chǎn)品組合,新增 75 mΩ 規(guī)格型號,以滿足市場對更緊湊、更高功率密度系統(tǒng)的需求。該系列器件提供多種封裝選擇,包括... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiCMOSFET 2025-9-23 09:23
iDEAL Semiconductor的SuperQ™技術現(xiàn)已全面量產(chǎn),首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時,一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進入送樣階段。 SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破,在硅功率器件中實現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸,將n型導電... (來源:新品頻道)
iDEALSuperQMOSFET 2025-7-18 13:22
Nexperia今日宣布,在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC20120J和PSC20120L專為滿足工業(yè)應用中對超低功耗整流器的需求而設計,可在高能效能量轉換場景中發(fā)揮關鍵作用。這類器件尤其適用于高功率人工智能(AI)服務器基礎設施和電信設備電源及太陽能逆變... (來源:新品頻道)
Nexperia肖特基二極管SiCPSC20120J 2025-7-11 15:36
這款節(jié)省空間的器件最大RthJC低至0.36 ℃ / W,并配有易于吸附焊錫的側翼,從而改善工業(yè)應用的熱性能和可焊性 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出一款采用無引線鍵合(BWL)封裝并具有業(yè)內(nèi)先進導通電阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N... (來源:新品頻道)
Vishay MOSFET導通電阻 2025-5-30 11:04