XP018平臺新增極具競爭力的第二代高壓基礎器件全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎器件... （來源：新聞頻道）
X－FAB CMOS代工 2024-5-20 15:20
近日，第二屆英飛凌碳化硅應用技術發展論壇暨光伏與儲能分論壇在春意盎然的上海圓滿收官。此次盛會高朋滿座，英飛凌工業功率控制事業部的管理團隊和技術專家與碳化硅產、學、研界的大咖，以及共創生態系統的合作伙伴齊聚一堂，共話碳化硅技術的發展前景、應用之道，并肩展望未來新能源發展趨勢。 ... （來源：新聞頻道）
碳化硅新能源時代新興工業 2019-4-26 10:47
IR近日推出60V器件以擴充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業應用，包括電動工具、輕型電動車逆變器、直流電機驅動器、鋰離子電池組保護及開關模式電源二次側同步整流等。 全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列具有可提升低頻應用性能的超低導通電阻 (RDS(on))、極高的電流承載能力、軟體二極管，以... （來源：新品頻道）
IR60V器件StrongIRFETMOSFET 2014-4-24 17:53
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，Vishay發布2011年的“Super 12”特色產品。這些元器件具有業界領先的規格標準，如導通電阻、導通電阻與柵極電荷乘積(FOM)、溫度范圍和電流等級。這些創新產品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/ver3/ 進行展示，是許多關鍵應... （來源：新品頻道）
VishaySuper12 2011-5-18 11:26
Vishay 推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節約更多的空間。 SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET，其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm，最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%，厚度則薄了26%。 在... （來源：新品頻道）
Vishay60V 功率MOSFET SiM400 2010-1-6 14:25
Vishay 推出采用雙面冷卻、導通電阻最低的60V器件 --- SiE876DF。新的SiE876DF采用SO-8尺寸的PolarPAK®封裝，在10V柵極驅動下的最大導通電阻為6.1Ω，比市場上可供比較的最接近器件減小了13%。 N溝道SiE876DF的目標應用是工業型電源、馬達控制電路、用于服務器和路由器的AC/DC電源，以及使... （來源：新品頻道）
Vishay TrenchFET功率MOSFET SiE876DF 2009-8-26 15:06
十月三日訊，Fairchild公司推出三種新型60V N溝MOSFET，特別設計用于大電流汽車電子應用如馬達/人體負載控制，ABS(自動剎車系統)，動力管理和注入系統。FDB035AN06A0, FDP038AN06A0 和FDD10AN06A0是Fairchild公司目標應用在汽車電子的中等電壓(60V-150V)PowerTrench?產品的第一種60V器件。(在2002年五月... （來源：新品頻道）
其它 2002-10-21 11:45
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