iDEAL Semiconductor的SuperQ™技術現已全面量產，首款產品為150V MOSFET。同時，一系列200V MOSFET產品也已進入送樣階段。 SuperQ是過去25年來硅基MOSFET設計領域的首次重大突破，在硅功率器件中實現了前所未有的性能與效率提升。該架構突破了硅材料在導通與開關方面的物理瓶頸，將n型導電... （來源：新品頻道）
iDEALSuperQMOSFET 2025-7-18 13:22
DFN5*6封裝 極低導通內阻,超強開關性能實現更高功率密度日前，集設計，研發一體的著名功率半導體及芯片供應商萬國半導體（AOS, 納斯達克代碼: AOSL)發布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS™ (MOS™)中壓系列旗艦產品，為眾多設備追求極致效率提供了解決方... （來源：新品頻道）
通信及工業電源150V MOSFET 2013-5-9 11:21
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優化品質因數(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設計人員對具有較低開關損耗、較低噪聲和緊湊占位面積之MOSFET產品的需求。該器件利用飛兆半導體先進的... （來源：新品頻道）
FairchildMOSFET器件FDMS86200 2010-7-22 11:21
IR 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關模式電源 （SMPS） 、不斷電系統 （UPS）、反相器和DC馬達驅動器等工業應用提供極低的閘電荷 （Qg）。 與其它競爭器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達33%。 這些新款... （來源：新品頻道）
IR HEXFET功率MOSFET 2009-8-18 15:23
7月31日訊，快捷半導體公司(Fairchild Semiconductor)推出十八種新型N溝MOSFET，它封裝在業界第一個無底封裝，結合了比TO-263(D2-PAK)好得多的熱性能和很低的導通電阻的優點。這種先進的無底封裝有以下的優點：1)由于降低了芯片溫度，可靠性和效率都更好，2)由于更低封裝熱阻，效率更高，3)每PCB面積有... （來源：新品頻道）
電源MOSFET 2002-8-19 11:56
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