太陽能系統的發展勢頭越來越強,光伏逆變器的性能是技術創新的核心。設計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。 其中一項創新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系統。GaN 不僅能提高太陽能系統的性能,也能提升整個系統的效率,此外,在保證縮小系... (來源:技術文章頻道)
TOLL GaN 太陽能電源能源SIC 2025-12-12 11:34
近日,南芯科技(證券代碼:688484)宣布推出 700V 高壓 GaN 半橋功率芯片 SC3610,可實現高精度電壓驅動、更優的通道延時匹配和更好的 EMI 性能。SC3610 特別適用于高頻軟開關電路應用,如 LLC、AHB(不對稱半橋反激)等拓撲,為 AI 服務器電源、大功率工業電源、電機驅動等應用提供更加高效可靠的電力... (來源:新品頻道)
南芯科技GaN功率芯片電源 2025-11-26 14:14
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice(股票代碼 603986)與納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)共同設立的“數字能源聯合實驗室”在合肥正式揭牌。該實驗室將GD32 MCU領域的深厚積累,與納微半導體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術的GeneSiC碳化硅領域的產... (來源:新聞頻道)
兆易創新納微半導體能源電源管理 2025-10-13 14:11
9月16日,MPS ACDC新品發布會在北京成功舉辦。MPS ACDC 產品總監Peter Huang為大家分享了MPS ACDC產品的市場優勢及其最新技術進展,同時揭曉了MPS在當今熱門的手機、筆記本電腦等便攜式設備PD快充,電視LED顯示屏電源,氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)功率器件,電動汽車充電,AI服務器供電等領域的先進技... (來源:新聞頻道)
MPS ACDC手機筆記本電腦便攜式設備 2025-9-16 16:44
簡介 微型逆變器中的功率轉換系統通常采用兩級式設計,如圖 1-1 所示。 圖 1-1. 微型逆變器兩級拓撲 在這種方案中,首先是一個直流/直流級(反激式或推挽式升壓級),然后是另一個交流/直流級(自換向交流/直流或圖騰柱 PFC),將光伏電池板提供的直流電... (來源:技術文章頻道)
GaN Cyclo 轉換器微型逆變器電源 2025-8-21 14:23
作者:安森美 碳化硅(SiC)功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇,因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作,從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外,SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹優化拓撲結構與元器件選型。 ... (來源:技術文章頻道)
充電器拓撲結構 2025-8-19 11:50
意法半導體發布STGWA30IH160DF2 IGBT,該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優異的熱性能和軟開關拓撲高效運行等優勢,特別適用于需要并聯使用的大功率家電應用場景,包括電磁爐、微波爐、電飯煲等電器。 該器件具備175℃最高結溫特性和優異的熱阻系數,可確保30A額定電流下的高效散熱表現,在嚴苛... (來源:新品頻道)
意法半導體IGBTSTGWA30IH160DF2 家電 2025-7-17 09:44
單器件雙向控制,開啟無限可能 作者:Dr. Kennith Kin Leong, Lead Principal, Product Definition and Concept Engineer, High-Voltage GaN Bidirectional Switch at Infineon Technologies. 校對:宋清亮英飛凌消費、計算與通訊業務大中華區技術市場總監 電力電子技術在過去幾十年間經歷了巨... (來源:技術文章頻道)
氮化鎵開關電力電子 2025-7-10 13:13
全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合,在25°C時R DS(on) 值為4至60 mΩ,廣泛適用于車載充電... (來源:新品頻道)
英飛凌 導通電阻 CoolSiC MOSFET 汽車 工業 2025-7-1 11:20
在“雙碳”目標推動下,分布式光伏因靈活部署優勢成為能源轉型的重要載體。作為光伏組件直流轉交流的核心設備,微型逆變器憑借組件級精準控制,有效解決傳統組串式方案的失配損耗與安全問題,在戶用及光伏建筑一體化(BIPV)場景中價值凸顯。隨著行業對高集成度、高效率及低成本的需求升級,... (來源:解決方案頻道)
兆易創新光伏 2025-6-19 16:04