龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超結MOSFET，其內置FRD，適應LLC應用，并適合多管應用，具有更快的開關速度，更低的導通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統效率和優異的EMI性能。 該產品耐壓為650V，導通電阻僅為99mΩ，使得MOS管在導通狀態下實現更小的功率損耗和更高的效率，同... （來源：新品頻道）
龍騰半導體MOSFET 2025-9-28 10:02
導語：6月26–27日，2025年東莞電子熱點解決方案創新峰會即將開幕，六大論壇、百家展商集結，當前報名持續火熱，參會工程師請盡快鎖定席位！ 隨著終端系統復雜度不斷提升，電子器件廠商正在從單點產品供應向系統配套與協同設計轉變。在此背景下，2025年第六屆中國電子熱點解決方案創新峰會將于... （來源：新聞頻道）
半導體、磁性元件、連接器 2025-6-24 16:12
肖特基二極管（Schottky Diode）和快恢復二極管（Fast Recovery Diode）都是常用的半導體器件，它們在電子電路中的作用和應用有所不同。下面是它們的主要區別： 1. 工作原理 肖特基二極管：肖特基二極管采用金屬與半導體的接觸方式（如金屬-半導體接觸），而不是傳統的P-N結。它具有非常低的... （來源：技術文章頻道）
肖特基二極管快恢復二極管 2025-3-26 10:15
作者：陳子穎 鄭姿清 驅動電路設計是功率半導體應用的難點，涉及到功率半導體的動態過程控制及器件的保護，實踐性很強。為了方便實現可靠的驅動設計，英飛凌的驅動集成電路自帶了一些重要的功能，本系列文章講詳細講解如何正確理解和應用這些功能。 驅動電路有兩類，隔離型的驅動電路和電平位移驅... （來源：技術文章頻道）
驅動電路設計 驅動器 自舉電源 英飛凌 2025-3-6 10:40
SiC SBD具有高耐壓、快恢復速度、低損耗和低漏電流等優點，可降低電力電子系統的損耗并顯著提高效率。適合高頻電源、新能源發電及新能源汽車等多種應用，本文介紹SiC SBD的靜態特性和動態特性。SBD（肖特基勢壘二極管）是一種利用金屬和半導體接觸，在接觸處形成勢壘，具有整流功能的器件。Si SBD耐壓一... （來源：技術文章頻道）
SiC SBD 三菱電機 2025-3-3 10:31
二極管反向恢復機理（Reverse Recovery Mechanism）是指當一個二極管從正向導通狀態切換到反向截止狀態時，二極管內存儲的少數載流子（如電子和空穴）會導致反向電流的產生，直到這些載流子被完全移除。這個過程稱為反向恢復時間（reverse recovery time, trr）。 反向恢復機理的詳細過程： ... （來源：技術文章頻道）
二極管反向恢復機理 2025-2-24 10:15
二極管是一種重要的半導體器件，根據不同的特性和應用，可以進行多種分類。以下是常見的二極管分類方式：1. 按工作原理分類普通二極管：用于整流、開關等基本電路。齊納二極管：用于穩壓，能夠在反向擊穿時保持穩定電壓。肖特基二極管：具有低正向壓降和快速恢復時間，適用于高頻和低功耗應用。2. 按材... （來源：技術文章頻道）
二極管 2024-11-26 13:03
一、二極管的電容效應二極管具有電容效應。它的電容包括勢壘電容CB和擴散電容CD。1．勢壘電容CB（Cr）前面已經講過，PN結內缺少導電的載流子，其電導率很低，相當于介質；而PN結兩側的P區、N區的電導率高，相當于金屬導體。從這一結構來看，PN結等效于一個電容器。事實上，當PN結兩端加正向電壓時，PN結... （來源：技術文章頻道）
二極管 電容效應 等效電路 2024-8-12 10:22
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，公司將在2024慕尼黑上海電子展（electronica China 2024）上展示豐富的無源和分立半導體解決方案，這些產品和方案適用于最新的汽車和電動汽車設計，滿足在嚴苛的操作條件下提供準確性和可靠性的設計需求。Vishay 亞洲銷售... （來源：新聞頻道）
Vishay 2024慕尼黑上海電子展 2024-7-8 14:36
器件采用MPS結構設計，額定電流5 A~ 40 A，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力... （來源：新品頻道）
Vishay 肖特基二極管 SiC 開關電源設計 2024-7-1 09:46
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