ATC18RHA:耐輻射550萬ASIC門電路, 采用0.18um 六層金屬CMOS工藝制造,具有成套的標(biāo)準(zhǔn)邏輯和I/O單元庫,總劑量能高達(dá)300Krads,鎖死效應(yīng)閾值大于70MeV/cm2/mg,包括了空間應(yīng)用所有的專用功能和所需的緩沖器,如高速655Mbps LVDS發(fā)送器和接收器,PCI緩沖器,SEU硬化DFF和不發(fā)熱的緩沖器,內(nèi)核的工作電壓1.8V,兩個(gè)...
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網(wǎng)絡(luò)資源 2007-9-26 13:53