實際的應用中，RRAM的激勵源是脈沖信號。因此，脈沖測試的優化對RRAM器件來說更為重要。一個典型的RRAM器件的脈沖循環測試如圖所示，執行完一次SET脈沖操作，進行一次讀脈沖驗證；再執行一次RESET脈沖操作，再進行一次讀脈沖驗證。常規的SET脈沖和RESET脈沖信號都是簡單的矩形波，但是往往得不到... （來源：電子百科頻道）
RRAM 2017-9-12 13:47
阻變存儲器(RRAM)的基本結構為上下電極以及電阻轉變層組成的“三明治”結構，如圖所示。電阻轉變層材料在電激勵的作用下會出現不同電阻狀態，以此來實現數據存儲。這和相變存儲器類似，但不同的是相變存儲器中采用相變材料，在電阻變化過程中材料的晶體結構發生了變化；而在RRAM中，電阻變化過程... （來源：電子百科頻道）
RRAM 2017-8-30 13:21
針對基于傳統FPGA中SRAM架構的揮發性缺點，如果將SRAM變為非揮發性的SRAM，即可以擁有SRAM連續高速數據寫入的優點，又可以確保斷電后不丟失數據，保證數據的安全。目前已有關于采用NVSRAM編程的FPGA的報道，如基于鐵電存儲器的NVSRAM。鐵電FPGA具有低電壓、低功耗、無需外置非揮發存儲器等優點。... （來源：電子百科頻道）
FPGA技術RRAM存儲單元鐵電存儲器 2016-10-13 13:54
RRAM的器件性能與電學操作方法有關，即與器件的forming、SET、RESET過程中具體外加電壓／電流信號的方式有關。在RRAM器件的研究工作中，通常使用直流電壓掃描方式(VSM)來對器件單元進行基本的操作，獲取器件的電阻轉變參數。這種方法的優點是操作簡單，而且比較直觀。然而在采用直流電壓掃描的方... （來源：電子百科頻道）
PRAM器件限流器 2016-10-13 13:53
作為新型非揮發性存儲器中的一員，RRAM要能夠與現在主流的浮柵flash競爭，除了要將存儲性能做到和flash相當之外。RRAM必須利用高集成密度的優勢來降低成本，從而獲取市場份額。 一般認為，RRAM的集成可以分為有源陣列(active)和無源陣列(passive)兩種。在有源陣列中，使... （來源：電子百科頻道）
存儲器 2016-10-12 13:52
RRAM的三維集成結構體系主要有兩種：一種是多層堆疊交叉陣列結構，即把二維交叉陣列結構重復制備，堆積多層形成，如圖(a)所示；另一種方法是垂直交叉陣列結構，把傳統的水平交叉陣列結構轉90°，并在水平方向重復延伸形成垂直結構三維陣列，如圖(b)所示。多層堆疊結構是一種可以從二維平面結構轉移... （來源：電子百科頻道）
三維集成結構 2016-8-5 09:55
對單管RRAM存儲器件，RRAM阻變存儲器從高阻態向低阻態轉換時，通常要在器件兩端施加限制電流。主要是因為在RRAM存儲器件從高阻態轉變到低阻態后，流經器件的電流會突然增大，如果不在器件兩端設置一定的限制電流，會造成器件的永久擊穿。為了實現RRAM存儲器件在從高阻態向低阻態轉變過程中... （來源：電子百科頻道）
有源陣列結構RRAM存儲器件 2016-8-4 10:18
電化學金屬化(electrochemical metallization)機制，簡寫成ECM模型。這種模型主要是針對固態電解液基RRAM提出的，這類RRAM器件需要特殊的上、下電極材料，通常一端為電化學活性電極(如Ag、Cu和Ni等)，另一端為輔助電極，通常由電化學惰性金屬材料(Pt、W和IrO等)構成。該類RRAM的電阻轉變現象... （來源：電子百科頻道）
電化學金屬化機制RRAM器件ECM器件 2016-8-4 10:12
固態電解質材料通常是快離子導體，一般為含有Ag和Cu的硫系化合物。將固態電解質材料夾入易氧化金屬電極(如Ag和Cu等)和惰性金屬電極(Pt、W和IrQ2等)之間形成三明治結構，構建了RRAM領域內一種非常重要的存儲器類型，通常被稱為PMC(programmable metallization cell)?；駽BRAM(conductiv... （來源：電子百科頻道）
固態電解質材料存儲介質 2016-8-4 10:07
相比于有源結構單元，由于具有最小的單元面積4F2，無源交叉陣列結構被認為是存儲器最經濟的集成方式。在交叉陣列結構中，通過相互交叉的字線和位線構成的上下電極來實現存儲單元的選擇。無源交叉陣列結構的RRAM制備工藝簡單，能夠有效地提高器件良率，降低成本。采用無源交叉陣列集成可以將單元面... （來源：電子百科頻道）
無源陣列有源結構交叉陣列 2016-6-15 10:51
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