鐵電體的晶體具有自發(fā)極化強(qiáng)度,并且自發(fā)極化強(qiáng)度的方向可以隨外加電場(chǎng)的方向而重新取向。鐵電存儲(chǔ)器正是利用了鐵電體的這種特性。在鐵電材料中,晶體中心位置的原子有兩個(gè)穩(wěn)定的狀態(tài)。在外加電場(chǎng)下,中心原子可以從原來(lái)的位置越過(guò)勢(shì)壘達(dá)到另一個(gè)位置。而存儲(chǔ)的狀態(tài)就由中心原子的位置來(lái)進(jìn)行存儲(chǔ)... (來(lái)源:電子百科頻道)
鐵電體 2017-8-30 13:18
Likharev等提出的結(jié)合納米技術(shù)和傳統(tǒng)CMOS工藝的CMOS/納米線(xiàn)/分子混合集成(CMOS/nanowire/molecular hybrid,CMOL)技術(shù)引起研究者們的廣泛關(guān)注,被認(rèn)為是最有前途的CMOS替代技術(shù)之一。然而,當(dāng)前的CMOL電路仍然面臨著諸多問(wèn)題,最重要的就是連接兩層納米互連線(xiàn)的納米級(jí)小尺寸二極管的開(kāi)... (來(lái)源:電子百科頻道)
CMOL電路納米技術(shù)存儲(chǔ)器 2016-10-13 13:55
針對(duì)基于傳統(tǒng)FPGA中SRAM架構(gòu)的揮發(fā)性缺點(diǎn),如果將SRAM變?yōu)榉菗]發(fā)性的SRAM,即可以擁有SRAM連續(xù)高速數(shù)據(jù)寫(xiě)入的優(yōu)點(diǎn),又可以確保斷電后不丟失數(shù)據(jù),保證數(shù)據(jù)的安全。目前已有關(guān)于采用NVSRAM編程的FPGA的報(bào)道,如基于鐵電存儲(chǔ)器的NVSRAM。鐵電FPGA具有低電壓、低功耗、無(wú)需外置非揮發(fā)存儲(chǔ)器等優(yōu)點(diǎn)。... (來(lái)源:電子百科頻道)
FPGA技術(shù)RRAM存儲(chǔ)單元鐵電存儲(chǔ)器 2016-10-13 13:54
作為新型非揮發(fā)性存儲(chǔ)器中的一員,RRAM要能夠與現(xiàn)在主流的浮柵flash競(jìng)爭(zhēng),除了要將存儲(chǔ)性能做到和flash相當(dāng)之外。RRAM必須利用高集成密度的優(yōu)勢(shì)來(lái)降低成本,從而獲取市場(chǎng)份額。 一般認(rèn)為,RRAM的集成可以分為有源陣列(active)和無(wú)源陣列(passive)兩種。在有源陣列中,使... (來(lái)源:電子百科頻道)
存儲(chǔ)器 2016-10-12 13:52
電化學(xué)金屬化(electrochemical metallization)機(jī)制,簡(jiǎn)寫(xiě)成ECM模型。這種模型主要是針對(duì)固態(tài)電解液基RRAM提出的,這類(lèi)RRAM器件需要特殊的上、下電極材料,通常一端為電化學(xué)活性電極(如Ag、Cu和Ni等),另一端為輔助電極,通常由電化學(xué)惰性金屬材料(Pt、W和IrO等)構(gòu)成。該類(lèi)RRAM的電阻轉(zhuǎn)變現(xiàn)象... (來(lái)源:電子百科頻道)
電化學(xué)金屬化機(jī)制RRAM器件ECM器件 2016-8-4 10:12
標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件是具有標(biāo)準(zhǔn)邏輯功能的通用SSI、MSI集成電路,例如11幾工藝的54/74系列和隨后發(fā)展起來(lái)的CMOS工藝的CD 4000系列中的各種基本邏輯門(mén)、觸發(fā)器、選擇器分配器、計(jì)數(shù)器、寄存器等。 標(biāo)準(zhǔn)邏輯器件的生產(chǎn)批量大、成本低。由于其功能完全確定,電路設(shè)計(jì)時(shí)可將... (來(lái)源:電子百科頻道)
2016-5-24 16:23
時(shí)間繼電器時(shí)間繼電器是一種利用電磁原理或機(jī)械原理實(shí)現(xiàn)延時(shí)控制的自動(dòng)開(kāi)關(guān)裝置。它的種類(lèi)很多,有空氣阻尼型、電動(dòng)型和電子型和其他型等。 概述 時(shí)間繼電器早期在交流電路中常采用空氣阻尼型時(shí)間繼電器 ,它是利用空氣通過(guò)小孔節(jié)流的原理來(lái)獲得延時(shí)動(dòng)作的。它由電磁系統(tǒng)、延時(shí)機(jī)構(gòu)和觸點(diǎn)三部分組成。... (來(lái)源:電子百科頻道)
2013-4-16 16:18
百科名片 日本產(chǎn)圖像傳感器圖像傳感器,是組成數(shù)字?jǐn)z像頭的重要組成部分。根據(jù)元件的不同,可分為CCD(Charge Coupled Device,電荷耦合元件)和CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,金屬氧化物半導(dǎo)體元件)兩大類(lèi)。 概述 CCD CCD是應(yīng)... (來(lái)源:電子百科頻道)
2013-4-1 11:01
數(shù)字電路 用數(shù)字信號(hào)完成對(duì)數(shù)字量進(jìn)行算術(shù)運(yùn)算和邏輯運(yùn)算的電路稱(chēng)為數(shù)字電路,或數(shù)字系統(tǒng)。由于它具有邏輯運(yùn)算和邏輯處理功能,所以又稱(chēng)數(shù)字邏輯電路。現(xiàn)代的數(shù)字電路由半導(dǎo)體工藝制成的若干數(shù)字集成器件構(gòu)造而成。邏輯門(mén)是數(shù)字邏輯電路的基本單元。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)二值數(shù)據(jù)的數(shù)字電路。從整體上看,... (來(lái)源:電子百科頻道)
2013-3-22 10:09
FPGA(Field-Programmable Gate Array),即現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列,它是在PAL、GAL、CPLD等可編程器件的基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展的產(chǎn)物。它是作為專(zhuān)用集成電路(ASIC)領(lǐng)域中的一種半定制電路而出現(xiàn)的,既解決了定制電路的不足,又克服了原有可編程器件門(mén)電路數(shù)有限的缺點(diǎn)。目前以硬件描述語(yǔ)言(Verilog 或 VHDL)... (來(lái)源:電子百科頻道)
CPLD與FPGA 2013-3-7 17:12