IGBT模塊簡介 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大... （來源：電子百科頻道）
2013-4-7 15:02
搜索到1條【柵極驅動】相關的電子百科。
查看關鍵詞的分類頻道
