半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。 簡要介紹 自然界的物質(zhì)、材料按導(dǎo)電能力大小可分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三大類。半導(dǎo)體的電阻率在1mΩ·... （來源：電子百科頻道）
2013-4-19 10:29
百科名片 晶體硅太陽能電池太陽能是人類取之不盡用之不竭的可再生能源．也是清潔能源，不產(chǎn)生任何的環(huán)境污染。在太陽能的有效利用當中；大陽能光電利用是近些年來發(fā)展最快，最具活力的研究領(lǐng)域， 是其中最受矚目的項目之一。為此，人們研制和開發(fā)了太陽能電池。制作太陽能電池主要是以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)... （來源：電子百科頻道）
2013-4-3 13:50
百科名片 半導(dǎo)體（semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。 簡介 半導(dǎo)體：電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負... （來源：電子百科頻道）
2013-4-2 15:25
數(shù)字電路 用數(shù)字信號完成對數(shù)字量進行算術(shù)運算和邏輯運算的電路稱為數(shù)字電路，或數(shù)字系統(tǒng)。由于它具有邏輯運算和邏輯處理功能，所以又稱數(shù)字邏輯電路。現(xiàn)代的數(shù)字電路由半導(dǎo)體工藝制成的若干數(shù)字集成器件構(gòu)造而成。邏輯門是數(shù)字邏輯電路的基本單元。存儲器是用來存儲二值數(shù)據(jù)的數(shù)字電路。從整體上看，... （來源：電子百科頻道）
2013-3-22 10:09
CIGS是太陽能薄膜電池CuInxGa(1-x)Se2的簡寫，其具有穩(wěn)定性好、抗輻照性能好、成本低、效率高等優(yōu)點。小樣品CIGS薄膜太陽能電池的最高轉(zhuǎn)化效率2010年8月刷新為20.3%，由德國太陽能和氫能研究機構(gòu)ZSW采用共蒸鍍法制備。大面積電池組件轉(zhuǎn)化效率及產(chǎn)量根據(jù)各公司制備工藝不同而有所不同，一般在10%~15%范圍... （來源：電子百科頻道）
太陽能薄膜電池 2012-1-11 16:56
科技名詞定義 中文名稱：太陽能電池 英文名稱：solar cell 定義1：將太陽輻射直接轉(zhuǎn)換成電能的器件。 應(yīng)用學科：電力（一級學科）；可再生能源（二級學科） 定義2：以吸收太陽輻射能并轉(zhuǎn)化為電能的裝置。 應(yīng)用學科：資源科技（一級學科）；能源資源學（二級學科） 百科名片 &... （來源：電子百科頻道）
太陽能電池 2011-10-21 17:35
量子點量子點是準零維的納米材料，由少量的原子所構(gòu)成。粗略地說，量子點三個維度的尺寸都在100納米以下，外觀恰似一極小的點狀物，其內(nèi)部電子在各方向上的運動都受到局限，所以量子局限效應(yīng)特別顯著。由于量子局限效應(yīng)會導(dǎo)致類似原子的不連續(xù)電子能階結(jié)構(gòu)，因此量子點又被稱為“人造原子”。 量子點... （來源：電子百科頻道）
量子點人造原子 2011-9-23 13:27
概述 薄膜太陽能電池（thin film solar cell ）顧名思義就是將一層薄膜制備成太陽能電池，其用硅量極少，更容易降低成本，同時它既是一種高效能源產(chǎn)品，又是一種新型建筑材料，更容易與建筑完美結(jié)合。在國際市場硅原材料持續(xù)緊張的背景下，薄膜太陽電池已成為國際光伏市場發(fā)展的新趨勢和新熱點。 目前... （來源：電子百科頻道）
薄膜電池 2011-8-12 13:49
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導(dǎo)體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構(gòu)的大周期結(jié)構(gòu)，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ... （來源：電子百科頻道）
SiC 2010-11-29 17:45
所謂III-V族化合物半導(dǎo)體，是指元素周期表中的III族與V族元素相結(jié)合生成的化合物半導(dǎo)體，主要包括鎵化砷（GaAs）、磷化銦（InP）和氮化鎵等。此類材料具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)(Zincblende)結(jié)構(gòu)。鍵結(jié)方式以共價鍵為主。由于五價原子比三價原子具有更高的陰電性，因此有少許離子鍵成份。正因為如此，III-V族材料置... （來源：電子百科頻道）
III-V族化合物 2010-11-29 17:44
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