On Semi公司的NCP51705主要用來驅動SiC MOSFET晶體管,為了獲得最低可能導通損耗,驅動器能向SiC MOSFET器件提供最大可用柵極電壓.通過在開通和關斷時提供高峰值電流,開關損耗也是最小化.為了提高可靠性,dV/dt免疫性和甚至更快地關斷,NCP51705能利用車載充電泵來產生用戶可選擇的負電源軌.為了完全的兼容... （來源：解決方案頻道）
汽車電子車載充電機SiC模塊 On SemiNCP51705 2021-9-9 15:24
Rohm公司的BSM080D12P2C008是1200V/80A的半橋碳化硅(SiC)功率模塊,包括SiC-雙擴散MOS (DMOS)和SiC肖特基二極管(SBD).具有低浪涌,低開關損耗,高速可關和降低溫度依賴性等特性,漏源極間電壓1200V,漏極電流80A,總耗散功率600W,結溫最大為175C.主要用在馬達驅動如逆變器,轉換器,光伏電壓和風能產生,以及其電... （來源：解決方案頻道）
電源管理SiC功率模塊DC／DC轉換器Rohm BSM080D12P2C008 2020-9-8 11:59
Rohm公司的BSMGD3C12D24-EVK001是C型全SiC模塊評估方案,包含了最佳和安全驅動SiC模塊所有必需的元首.包括柵極驅動器,隔離的電源,短路保護,電源電壓欠壓保護,柵極驅動正偏壓欠壓保護,柵極驅動正偏壓過壓保護,高邊和低邊同時導通保護,控制輸出ON/OFF.提供故障信號和溫度監視輸出.主要應用高溫工作環境如飛... （來源：解決方案頻道）
SiC模塊柵極驅動 2019-11-4 11:09
Microsemi公司的MSCSICSP3/REF2 SiC SP3模塊驅動器參考設計為SP3SiC相腳模塊提供了高度隔離的SiC MOSFET雙柵驅動器設計案例,可配置成驅動任何時候僅有一個邊和死區保護的半橋,必要時也可以配置并存驅動器.死區時間和柵極驅動電阻由用戶調整以匹配用戶的需求.可選擇死區保護和飽和保護使得設備更容易評估... （來源：解決方案頻道）
電源管理 SiC模塊 SiC MOSFET 2019-5-22 11:02
Microsemi公司的MSCSICSP6/REF3是新一代SiC MOSFETS和SiC SBD,具有零反向恢復電荷,從而提升系統效率,具有高熱導率,是通常硅器件的2.5X,從而降低尺寸和提高工作溫度以及功率密度等優勢,滿足AEC-Q101規范,主要用在工業如馬達驅動,焊接,UPS和SMPS,汽車如EV電池充電器,動力總成,智能能源如PV逆變器,風力渦輪... （來源：解決方案頻道）
SiC MOSFET工業應用汽車電子智能能源 2018-8-1 10:58
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