L6482器件采用模擬混合信號技術設計而成，是一種全面集成的先進解決方案，適于驅動具有微步進功能的雙相雙極步進馬達。它整合了面向N溝道MOSFET功率級的雙全橋柵極驅動器，具有嵌入式非耗散過流保護功能。借助于新電流控制，通過自適應衰減模式實現了1/16微步進，其性能超越傳統設計。數字控制內核可以... （來源：解決方案頻道）
模擬混合信號技術設計 馬達控制 N－MOSFET L6482H 2015-12-11 14:18
ST公司的L6482H是采用模擬混合信號技術的微步距步進馬達驅動器,集成了用來驅車兩相雙極MOSFET功率級的兩個全橋柵極驅動器.采用全新的電流控制,可獲得者/16的微步距,工作電壓7.5 V-85 V.本文介紹了L6482H主要特性,框圖,應用電路圖及其材料清單,評估板EVAL6482H主要特性,電路圖,材料清單和PCB文件設計圖.... （來源：解決方案頻道）
馬達控制 N－MOSFET L6482H 2015-9-29 13:51
ST公司的STGAP1S gapDRIVE是電隔離N-MOSFET柵極驅動器,具有先進的保護,配置和診斷特性.驅動器驅動能力為5A,高壓部分高達1500V,輸入-輸出延遲100ns,提供很高的PWM控制精度,主要用在600/1200V逆變器,工業驅動,DC/DC轉換器,UPS設備和太陽能逆變器.本文介紹了STGAP1S gapDRIVE主要特性,框圖,半橋配置應用框... （來源：解決方案頻道）
電源管理DC/DC轉換器UPS設備太陽能逆變器馬達驅動STGAP1S 2014-12-2 13:59
搜索到3條【N－MOSFET】相關的解決方案。
![[原創] ST L6482H微步距步進馬達驅動解決方案](http://m.ht2010.com/uploads/solution/201512/sm_20151211142020.jpg)
![[原創] ST L6482H微步距步進馬達驅動解決方案](http://m.ht2010.com/uploads/solution/201509/sm_20150923133818.jpg)
![[原創] ST STGAP1S gapDRIVE電隔離N－MOSFET柵極驅動解決方案](http://m.ht2010.com/uploads/solution/201412/sm_20141202135112.jpg)
搜索到3條【N－MOSFET】相關的解決方案。
查看關鍵詞的分類頻道
