原作者:Anand Kannan,anand.kannan@infineon.comAlexander Guba,alexander.guba@arrow.comUSB供電標準(PD)在不斷發展。最近的USB供電規范3.2支持高達240瓦(48V,5A)的拉電流和灌電流功率。本文將討論USB供電的主要趨勢,探索為何在2024年實施USB-C不再視為一種創新,而只是一種采用新設計保持競... (來源:解決方案頻道)
USB供電 Arrow USB Type-C 微控制器 2024-8-1 15:48
Infineon公司的IGT60R190D1S是600V CoolGaN™增強模式氮化鎵(GaN)功率晶體管,它比硅器件具有基本優勢,特別是更高的臨界電場非常適合功率半導體器件,具有杰出動態開關電阻和更小電容,使得GaN HEMT更適合高速開關應用.GaN功率晶體管最重要的特性是反向恢復性能. Infineon公司的CoolGaN™晶體管... (來源:解決方案頻道)
電源管理DC/DC轉換器 CoolGaN Infineon 2022-6-22 16:35
Infineon公司的1EDF5673K, 1EDF5673F和1EDS5663H是單路增強隔離高壓增強型GaN HEMT柵極驅動器. CoolGaN™ 和同類 GaN開關在”開”態需要幾mA的連續柵極電流.此外,由于低閾值電壓和極快開關瞬態,需要負的”關”電壓電平.廣泛使用的RC耦合柵極驅動器完全滿足這些要求,但是,它受到開關動態的占空比依... (來源:解決方案頻道)
電源管理 柵極驅動器 GaN HEMT Infineon 1EDF5673K 2022-5-10 14:20
Infineon公司的1EDS5663H是單路和增強隔離的高壓增強模式GaN HEMT柵極驅動器.CoolGaN™和相近GaN開關在”開態”時需要連續柵極電流幾個mA,而由于低閾值電壓和極快開關瞬態,還需要負”關態”電壓.廣泛使用的RC耦合柵極驅動器滿足這些要求,但是它依賴于開關動態的占空比特性和缺少負柵極驅動.Infine... (來源:解決方案頻道)
工業控制GaN HEMT柵極驅動器 Infineon 1EDF5673K 2021-1-13 12:55
Infineon公司的IGOT60R070D1是CoolGaN™ 600 V增強氮化鎵(GaN) 高電子遷移率晶體管(HEMT),具有最高質量的最高的效率和功率密度.增強模式晶體管通常處于開關態(OFF),具有超快開關速度,沒有反向恢復的電荷,并能反向導通.器件具有低柵極電荷,低輸出電荷,以及優越的換向堅固性,工業應用具有JEDEC標準資... (來源:解決方案頻道)
電源管理開關電源增強GaNCoolGaNHEMT Infineon IGOT60R070D1 2020-12-4 12:01
Infineon公司的2EDN752x/2EDN852x系列產品是先進的雙路氮化鎵驅動器,具有比硅器件有明顯的優越性,特別是它的更高的臨界電場是使得氮化鎵對功率半導體器件具有非常大的吸引力.和Si MOSFET相比,它的動態開態電阻和更小的電容值.因此,GaN HEMT晶體管具有更高的開關速度,更高的工作頻率,提高了功率密度和整... (來源:解決方案頻道)
電源管理AC/DC轉換器DC/DC轉換器開關電源 GaN HEMT Infineon2EDN7(8)52x 2020-10-13 15:19
Infineon公司的IGT60R070D1是600V CoolGaN™氮化鎵增強模式功率晶體管,具有超快的開關速度,沒有反向恢復電荷,能夠反向導通,低柵極電荷和低輸出電荷,優越的換向堅固性,根據JEDEC標準(JESD47和JESD22)具有工業應用的資質.提高了系統效率和功率密度,更高的工作頻率,降低系統成本和降低EMI.采用CoolGa... (來源:解決方案頻道)
電源管理DC/DC轉換器氮化鎵CoolGaNInfineon IGT60R070D1 2020-9-28 14:52
Infineon公司的IGT40R070D1 E8220是400V Cool增強模式氮化鎵高遷移率晶體管(GaN HEMT).該器件通過在體二極管的零反向恢復電荷和非常小的線性輸入和輸出電容,克服了技術阻擋層如線性和功率損耗.CoolGaN™由于具有低/線性Coss,零Qrr和常開開關,理想的D類音頻放大器提供0%失真和100%效率.D類放大器線... (來源:解決方案頻道)
D類放大器GaN HEMTInfineon IGT40R070D1 E8220 2020-9-15 14:42
Infineon公司的600 V CoolGaN高壓GaN開關是單路絕緣柵驅動器,是GaN EiceDRIVER™系列產品. CoolGaN™增強模式HEMT是Infineon公司的EiceDRIVER™ IC中1EDF5673K, 1EDF5673F 和1EDS5663H最好驅動器.單路電流絕緣VIO=1500VDC,輸出脈沖寬度大于18ns,傳輸時延精度13ns,降低死區損壞多達50%,可... (來源:解決方案頻道)
電源管理 GaN開關 絕緣柵驅動器 2020-2-21 11:45