作者:Qorvo應用工程師Mike ZhuSiC FET(即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合)等寬帶隙半導體開關推出后,功率轉換產品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關速度和較低的傳導損耗,能夠在各類應用中提高效率和功率密度。然而,與緩慢的舊技術相比,高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互... (來源:技術文章頻道)
SiC FET設計 PCB 2023-9-22 11:35
作者:Pete LoseeSiC FET在共源共柵結構中結合硅基MOSFET和SiC JFET,帶來最新寬帶隙半導體技術的性能優勢,以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現可采用表面貼裝TOLL封裝,由此增加了自動裝配的便利性,同時減少了元件尺寸,并達成出色的熱特性,在功率轉換應用中實現了功率密度最大化和系統成本最... (來源:技術文章頻道)
SiC-FET TOLL封裝 碳化硅 2023-9-8 11:13
2022 年 12 月 6 - 7 日,中國電工技術學會低壓電器專業委員會第二十一屆學術年會、第十七屆中國智能電工技術論壇暨固態新型斷路器技術發展及應用國際研討會(第二季)于江蘇常州順利召開。作為一場行業盛會,該會議主要圍繞固態/混合式新型斷路器的最新技術、前沿標準、全新檢測業務方向等相關解決方案... (來源:技術文章頻道)
電路保護SiC-FETs 2022-12-28 17:02
碳化硅 (SiC) JFET堅固耐用,具有高能量雪崩和短路耐受額定值,而且值得注意的是,它們在每單位芯片面積的 FOM 導通電阻R DS(on) × A方面擊敗了所有其他技術,實現了價值接近材料的理論極限(圖 1)。這個品質因數直接關系到開關的實際性能及其經濟性,與競爭技術相比,每個晶圓的芯片數量更多,性能相... (來源:技術文章頻道)
SiC JFET 開關技術 2022-12-16 09:55
數字加密貨幣通過特定的計算過程生成,俗稱“挖礦”。“挖礦”特別考驗算力與功耗,單位功耗下算力越高,則代表“挖礦”能力越強,雖然礦機芯片廠商在不遺余力地提升算力,但由于挖礦規模不斷擴大,其消耗的總電量相當驚人且在持續增長。據CryptoMonday估算,單筆比特幣交易,大約消耗2,165度電,而據劍... (來源:技術文章頻道)
礦機電源 電源管理 2022-12-9 17:05
碳化硅功率器件在功率轉換效率、改進的高溫性能和使用更簡單的電路拓撲結構方面比硅功率器件具有多項優勢。在電動汽車牽引逆變器、DC/DC 轉換器和車載充電器 (OBC) 等一些需求旺盛的關鍵應用領域,器件特定的導通電阻 ( R DS(on) × A,其中A是傳導面積)是影響器件電容的關鍵品質因數 (FOM),從而影響硬... (來源:技術文章頻道)
電源轉換器 碳化硅功率器件 2022-12-7 16:09
Stephen Russell作者:Stephen Russel (單位:TechInsights的Sr. Process Analyst_Power Devices)合著作者:Ramya Cuduvally(單位:CCEM和麥克馬斯特大學材料科學與工程學院)Brian Langelier(單位:CCEM和麥克馬斯特大學材料科學與工程學院)去年,TechInsights通過一系列博客展示了電氣特性的力量,... (來源:技術文章頻道)
TechInsights碳化硅器件 2022-12-7 14:19
摘要高頻開關等寬帶隙半導體是實現更高功率轉換效率的助力。SiC FET就是一個例子,它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構成。正文在功率電子器件領域,工程師們夢想有一種完美的半導體開關,它沒有導電損耗和開關損耗,電壓無窮大,沒有漏電且易于驅動。不幸的是,物理學告訴我們,它僅僅存在... (來源:技術文章頻道)
SiC FET 功率器件 2022-11-11 15:12
寬帶隙半導體是高效功率轉換的助力。有多種器件可供人們選用,包括混合了硅和SiC技術的SiC FET。本文探討了這種器件的特征,并將它與其他方法進行了對比。高效是所有功率轉換的共同目標,高效能夠節省成本和電力,減少環境影響,讓器件更小更輕,打造更可靠的設備和更好的功能。對于最新的和新興的應用... (來源:技術文章頻道)
SiC FET 寬帶隙半導體 功率轉換 2022-11-1 16:05
如果詢問任何功率電子器件設計師他們追求什么,轉換效率通常都會名列前茅。高效率不僅能節能,還有附帶好處,即打造更小、更輕、更便宜的產品,而釋放的空間還可用于提高可靠性和增加功能。實際上有些應用受益匪淺,如電動車,它的單次充電行駛里程會有所提高,還有數據中心,其中的電子器件和必要空調... (來源:技術文章頻道)
功率轉換 SiC-FET 2022-9-30 10:48