作者:Vincent Lagardelle 為實現零排放的未來,汽車行業迫切需要重塑。汽車制造商必須加速推出差異化的電動車型。恩智浦攜手Wolfspeed,共同推出一款經過全面驗證的800V牽引逆變器參考設計,有效幫助電動汽車系統架構師克服諸多技術障礙。 功率逆變器模塊解析 為支持汽車合... (來源:技術文章頻道)
電動汽車逆變器 2025-5-7 11:30
SiC芯片可以高溫工作,與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫,其封裝技術相對傳統IGBT模塊封裝技術做了很大改進,本文帶你詳細了解內部的封裝技術。 為了實現低碳社會,能夠高效電能變換的電力電子技術正在擴展到消費、工業、電氣化鐵路、汽車、太陽... (來源:技術文章頻道)
SiC模塊封裝技術 2025-2-14 11:25
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統,由單相或三相電網功率或儲能系統(ESS)提供動力,可以通過固態電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態電池斷開連接開關時,需要考慮一些基本的設計決策。關鍵因素包括半導體技術,設備類型,熱包裝,設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選... (來源:技術文章頻道)
高壓SIC電池斷開開關 2025-2-13 11:00
三菱電機開發了工業應用的NX封裝全SiC功率模塊,采用低損耗SiC芯片和優化的內部結構,與現有的Si-IGBT模塊相比,顯著降低了功率損耗,同時器件內部雜散電感降低約47%。 三菱電機從1994年開始研發SiC-MOSFET,經過試制驗證,目前正處于普及擴大的階段。SiC-MOSFET能夠使系統整體的效率最大化,具有濾... (來源:技術文章頻道)
三菱電機NX封裝SiC功率模塊 2025-1-23 11:23
Microchip Technology Inc. 碳化硅業務部資深顧問級應用工程師 Ehab Tarmoom 得益于固態電路保護,直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(由單相或三相電網電源或儲能系統(ESS)供電)可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態電池斷開開關時,需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括... (來源:技術文章頻道)
Microchip SiC 高電壓電池 2025-1-9 11:01
如今,電動汽車越來越受歡迎,隨之而來的是對更高效充電解決方案的需求。然而,電動汽車的快速充電與智能手機等小型消費電子產品的快速充電有很大不同。在電動汽車中,快速充電技術需要將車輛電池的充電時間從幾個小時縮短到十幾分鐘甚至更短的時間。直流快速充電是電動汽車目前很高效的快充技術,此時... (來源:技術文章頻道)
直流快充電動汽車 2024-12-12 11:20
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導體材料,由于其獨特性,使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用,特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。對于GaN而言,與硅相比,它具有優異的電子遷移率和更高的擊穿電壓,能在高溫、高電和高頻下工作,其優勢主要體現在三個方面:... (來源:技術文章頻道)
電動汽車 數據中心 SiC GaN 2024-12-2 10:42
隨著全球對可再生能源和清潔電力系統的需求不斷增長,光儲充一體化市場為實現能源的高效利用和優化配置提供了創新解決方案。在此趨勢引領下,碳化硅(SiC)產業生態正迅速發展,逐漸成為替代傳統硅基功率器件的有力市場競爭者。本文將聚焦于SiC材料的卓越屬性,探討安森美(onsemi)系列先進的封裝技術... (來源:技術文章頻道)
SiC 封裝技術 安森美 碳化硅 2024-8-29 11:16
摘要:本文提出一個用尺寸緊湊、高成本效益的DC/AC逆變器分析碳化硅功率模塊內并聯裸片之間的熱失衡問題的解決方案,該分析方法是采用紅外熱像儀直接測量每顆裸片在連續工作時的溫度,分析兩個電驅逆變模塊驗證,該測溫系統的驗證方法是,根據柵源電壓閾值選擇每個模塊內的裸片。我們將從實驗數據中提取... (來源:技術文章頻道)
電驅逆變器 碳化硅 電動汽車 2024-8-2 14:05
三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機一直致力于功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索,本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。半導體器件是當今迅速發展的各類電力電子設備不可或缺的組成部分,是促進科技發展、社會進... (來源:技術文章頻道)
三菱電機 功率器件 IGBT 2024-7-29 10:13