隨著智能手機創新放緩,AR眼鏡因其便攜性、與現實世界增強交互的獨特性,有望成為繼智能手機之后的下一代智能計算平臺的核心載體,成為連接物理世界和數字世界的橋梁。伴隨AI、5G、空間計算等技術的深度融合,AR/AI智慧化浪潮正在徹底改寫人機交互的邊界。AR/AI眼鏡已成為引領未來發展的關鍵賽道,吸引... (來源:技術文章頻道)
AR眼鏡 2025-9-22 14:40
在當今快速發展的電力電子技術領域,功率半導體器件的性能優化至關重要。雙脈沖測試(DPT)作為一種關鍵的測試方法,為功率器件的動態行為評估提供了精準的手段。本文將深入解析雙脈沖測試的原理、應用及泰克科技在這一領域的先進解決方案,并介紹泰克專家高遠新書的相關內容。 雙脈沖測試的目標參數... (來源:技術文章頻道)
泰克功率半導體雙脈沖測試 2025-6-18 09:49
隨著技術的不斷進步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而,這些器件在長期連續使用后會出現老化現象,導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性,成為行業關注的焦點。 目前,針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試... (來源:技術文章頻道)
泰克功率器件老化高溫老化測試 碳化硅 氮化鎵 2025-5-28 11:02
短路原點電源轉換系統中的 SC 事件可能由多種原因引起,包括電纜操作、負載故障、絕緣材料老化、組件故障和設計錯誤。電源應用可以包括不同的保護機制以提高其可靠性。負載引起的高電感 SC 事件通常通過軟件中編程的電流限制和閾值電壓進行管理。另一方面,低電感短路需要柵極驅動板中包含硬件保護。柵... (來源:技術文章頻道)
SiC MOSFET短路保護 2024-12-25 10:41
本文作者:Catherine De Keukeleire,可靠性與質量保證總監,寬禁帶,安森美(onsemi)幾十年來,硅(Si)一直是半導體行業的主要材料——從微處理器到分立功率器件,無處不在。然而,隨著汽車和可再生能源等領域對現代電力需求應用的發展,硅的局限性變得越來越明顯。隨著行業不斷探索解決方案,寬禁帶(... (來源:技術文章頻道)
碳化硅制造寬禁帶 2024-11-26 10:58
SiC外延生長技術是SiC功率器件制備的核心技術之一,外延質量直接影響SiC器件的性能。目前應用較多的SiC外延生長方法是化學氣相沉積(CVD),本文簡要介紹其生產過程及注意事項。SiC有多種穩定的晶體多型(polytype)。因此,為了使獲得的外延生長層能夠繼承SiC襯底的特定晶體多型,需要將襯底的原子三維... (來源:技術文章頻道)
SiC器件 SiC外延生長技術 2024-11-7 10:41
如今,圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點,第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求,被認為是突破傳統硅(Si)器件性能天花板的必由之路。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三... (來源:技術文章頻道)
GaN器件 碳化硅 2024-10-25 10:25
作者:Catherine De Keukeleire,可靠性與質量保證總監,寬禁帶,安森美幾十年來,硅(Si)一直是半導體行業的主要材料——從微處理器到分立功率器件,無處不在。然而,隨著汽車和可再生能源等領域對現代電力需求應用的發展,硅的局限性變得越來越明顯。隨著行業不斷探索解決方案,寬禁帶(WBG)材料,... (來源:技術文章頻道)
碳化硅制造 SiC 電力電子 2024-10-24 10:32
作者:Devin XU,本文轉載自:英飛凌汽車電子生態圈近幾年新能源車發展迅猛,技術創新突飛猛進。如何設計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續航里程一直是研發技術人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當的平衡。當前新能源汽車牽引逆變器的功率半導體... (來源:技術文章頻道)
IGBT SiC 混合功率器件 新能源汽車 2024-10-22 10:20
隨著全球對可再生能源和清潔電力系統的需求不斷增長,光儲充一體化市場為實現能源的高效利用和優化配置提供了創新解決方案。在此趨勢引領下,碳化硅(SiC)產業生態正迅速發展,逐漸成為替代傳統硅基功率器件的有力市場競爭者。本文將聚焦于SiC材料的卓越屬性,探討安森美(onsemi)系列先進的封裝技術... (來源:技術文章頻道)
SiC 封裝技術 安森美 碳化硅 2024-8-29 11:16