在功率半導體領域，氮化鎵（GaN）因其高頻高效特性被譽為 “下一代開關器件的核心”，這一技術如今已經通過快充進入到了千家萬戶，但如何持續發揮出氮化鎵的功率優勢，在不同領域都實現如快充頭一樣的普及，一直是行業難題。 德州儀器（TI）日前推出了行業標準TOLL封裝的GaN LMG365x，滿足... （來源：技術文章頻道）
氮化鎵TI 2025-4-16 11:18
作者： Giovanni Maria對于設計人員來說，音頻領域的功率轉換設計是一個真正的技術挑戰，因為峰值負載可能遠高于均方根(RMS)功率要求。他們必須在散熱要求、解決方案的尺寸和重量、成本，當然還有效率之間取得一個最佳平衡。1. 高功率音頻如今，具有高峰值負載的高功率音頻應用相當常見的選擇就是LLC諧... （來源：技術文章頻道）
功率轉換諧振轉換器 2023-7-18 16:15
LLC的優勢之一就是能夠在比較寬的負載范圍內實現原邊MOSFET的零電壓開通（ZVS），MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSFET的ZVS，需要滿足以下三個基本條件：1）上下開關管50%占空比，1800對稱的驅動電壓波形；2）感性諧振腔并有足夠的感性電流；3）要有足夠的死區時間維持ZVS。圖a)是典... （來源：技術文章頻道）
LLC串聯諧振電路 MOSFET 2021-8-26 10:56
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