碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，因其高導熱、高擊穿電壓和高開關頻率等優異特性，被視為提升新能源汽車性能、降低能耗的關鍵技術，但高昂的成本卻一直制約著SiC大規模普及，如何讓SiC從高端旗艦下放至主流車型、主流光儲逆變器，成為行業共同命題。 近日，小鵬汽車與芯聯集成聯合宣布國內... （來源：技術文章頻道）
碳化硅新能源汽車 2025-8-27 13:16
功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT和二極管。傳統Si器件已逼近材料極限，成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。SiC器件憑借更高開關速度、高結溫下同時承受高壓大電流等特性，可顯著提升轉換效率、功率密度并降低系統成本，特別適... （來源：技術文章頻道）
車載電驅RIGOL功率半導體 2025-7-31 10:20
近年來，隨著電動汽車、5G、新能源等市場的興起，減碳、能源效率和電氣化成為當今時代的口號。在這個過程中，對高頻、大功率器件及電力電子需求快速增長，硅（Si）基半導體的物理性能瓶頸凸顯，硅材料的潛力已逐漸被開發完善。那么，如何最大限度減少電源轉換損耗，如何在提升功率的同時限制體積、發熱... （來源：技術文章頻道）
SiC市場SiC器件 2024-1-29 11:06
在功率電子領域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能，已經是大勢所趨。與傳統的Si材料相比，SiC具有更寬的禁帶，以及更高的擊穿電場、熱導率和工作溫度，這決定了基于SiC的功率器... （來源：技術文章頻道）
SiC 功率半導體 2023-8-30 16:05
摩爾定律已逼近物理極限。“卷不過”就換賽道，寬禁帶半導體成為后摩爾時代半導體發展的“蹊徑”之一，而在這一領域，國內企業有望實現彎道超車。寬禁帶半導體是指禁帶寬度在2.3eV及以上的半導體材料，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表，也稱“第三代半導體”。采用SiC、GaN材料制備的半導體器件不... （來源：技術文章頻道）
寬禁帶半導體 SiC 2022-10-20 10:12
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