作者:陳子穎,鄭姿清 隨著功率半導體IGBT,SiC MOSFET技術的發展和系統設計的優化,電平位移驅動電路應用場景越來越廣,電壓從600V拓展到了1200V。英飛凌1200V電平位移型頸驅動芯片電流可達+/-2.3A,可驅動中功率IGBT,包括Easy系列模塊。目標10kW+應用,如商用HVAC、熱泵、伺服驅動器、工業變頻器... (來源:技術文章頻道)
驅動電路設計 自舉電源 CoolMOS 2025-4-2 14:02
致力于亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布,其旗下品佳推出基于英飛凌(Infineon)XMC1404 MCU、IMBG65R048M1H CoolSiC™ MOSFET、IPDQ60R010S7 CoolMos™ MOSFET以及2EDS9259X柵極驅動IC的3.3KW雙向圖騰柱PFC數字電源方案。 圖示1-大聯大品佳基于Infineon產品... (來源:技術文章頻道)
大聯大品佳集團Infineon3.3KW雙向圖騰柱PFC數字電源方案 2025-3-6 14:02
英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產品非常適用于應對數據中心機架和電源供應單元(PSU)電力需求增長所需的新架構和AC-DC配電配置。作者:Sam Abdel-Rahman 英飛凌科技電源與傳感系統事業部 高級首席系統架構師前言人工智能(AI)的迅猛發展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示,英飛凌預測單臺G... (來源:技術文章頻道)
升級電源機架架構AI服務器 2025-2-24 14:21
過電壓從何而來? 罪魁禍首很清楚,很容易識別:它是寄生電感 L滲漏,在傳輸時間內不會通過續流二極管 D2 消磁。其中儲存的能量(1/2 升滲漏我2) 轉移到現有的寄生電容并在那里產生過電壓 (1/2 CparasiticV2 版本).如果沒有寄生電容,電壓將上升到無窮大。反激式轉換器中產生的 MOSFET 電壓(... (來源:技術文章頻道)
開關晶體管 2025-2-14 11:03
如今,電動汽車越來越受歡迎,隨之而來的是對更高效充電解決方案的需求。然而,電動汽車的快速充電與智能手機等小型消費電子產品的快速充電有很大不同。在電動汽車中,快速充電技術需要將車輛電池的充電時間從幾個小時縮短到十幾分鐘甚至更短的時間。直流快速充電是電動汽車目前很高效的快充技術,此時... (來源:技術文章頻道)
直流快充電動汽車 2024-12-12 11:20
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是寬禁帶(WBG)半導體材料,由于其獨特性,使其在提高電子設備的效率和性能方面起著至關重要的作用,特別是在DC/DC轉換器和DC/AC逆變器領域。對于GaN而言,與硅相比,它具有優異的電子遷移率和更高的擊穿電壓,能在高溫、高電和高頻下工作,其優勢主要體現在三個方面:... (來源:技術文章頻道)
電動汽車 數據中心 SiC GaN 2024-12-2 10:42
作者:陳子穎前言功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統成本,并保證系統的可靠性。 功率器件熱設計基礎系列文章會比較系統地講解熱設計基礎知識,相關標準和工程測量方法。芯片表面溫... (來源:技術文章頻道)
功率器件 IGBT 碳化硅 2024-11-18 11:00
當晶體管從 OFF 切換到 ON 或從 ON 切換到 OFF 時,晶體管將跨越其線性區域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨導非常高,漏極和柵極之間的電容將成倍增加。因此,驅動器在跨越線性區域時將承受嚴重負載,這會導致柵極電壓保持在穩定狀態。因此,除非驅動器可以提供幾安培的電流,否則開關速度將大大減慢。如此... (來源:技術文章頻道)
開關功率晶體管 2024-9-23 10:30
Si MOSFET 正常工作的驅動電路。關于制造商的應用說明和電路圖的一般性說明:除少數例外,這些都不適合任何系列生產。基本上,驅動電路必須對柵極輸入電容進行充電和放電,但這不是恒定的。當晶體管從 OFF 切換到 ON 或從 ON 切換到 OFF 時,晶體管將跨越其線性區域。由于 MOSFET 和 JFET 的跨導非常高... (來源:技術文章頻道)
開關功率晶體管 2024-7-19 11:19
在設計電源轉換器時,碳化硅 (SiC)等寬帶隙 (WBG) 技術現在是組件選擇過程中的現實選擇。650V SiC MOSFET 的推出使其對于以前未考慮過的應用更具吸引力。它們在高效硬開關拓撲中具有卓越的魯棒性,使其成為實現千瓦級電源解決方案的功率因數校正 (PFC) 級的理想選擇。而且,由于支持更高的開關頻率,更... (來源:技術文章頻道)
碳化硅開關電源轉換器 2024-4-3 10:42