隨著AI計算功耗的不斷增長,碳化硅(SiC)逐漸成為AI數據中心電源供應單元的重要材料,主要用于交直流轉換階段。通過降低能耗、優化散熱和提升功率密度,碳化硅打破了傳統半導體材料的應用天花板,拓展了其在AI數據中心的市場潛力。 AI服務器在計算需求日益增長的背景下,功耗越來越高。為此,數... (來源:技術文章頻道)
第三代半導體AI 2025-11-14 11:30
碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料的代表,因其高導熱、高擊穿電壓和高開關頻率等優異特性,被視為提升新能源汽車性能、降低能耗的關鍵技術,但高昂的成本卻一直制約著SiC大規模普及,如何讓SiC從高端旗艦下放至主流車型、主流光儲逆變器,成為行業共同命題。 近日,小鵬汽車與芯聯集成聯合宣布國內... (來源:技術文章頻道)
碳化硅新能源汽車 2025-8-27 13:16
功率變換器是電能利用的重要裝置,其性能主要取決于其核心—功率半導體器件,常見類型有 MOSFET、IGBT和二極管。傳統Si器件已逼近材料極限,成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。SiC器件憑借更高開關速度、高結溫下同時承受高壓大電流等特性,可顯著提升轉換效率、功率密度并降低系統成本,特別適... (來源:技術文章頻道)
車載電驅RIGOL功率半導體 2025-7-31 10:20
支持新國標GB20943-2025能耗管理標準,內置第三代半導體的新材料應用設計 MPS芯源系統(NASDAQ代碼:MPWR)近期發布了兩款新產品:NovoOne開關MPXG2100系列和PFC穩壓器MPG44100系列,旨在為快速發展的快速充電市場、工業系統和消費電子產品提供高集成度、高性能和經濟高效的解決方案。 單極反... (來源:技術文章頻道)
MPSACDC 2025-6-26 15:32
隨著技術的不斷進步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而,這些器件在長期連續使用后會出現老化現象,導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性,成為行業關注的焦點。 目前,針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試... (來源:技術文章頻道)
泰克功率器件老化高溫老化測試 碳化硅 氮化鎵 2025-5-28 11:02
作者:Catherine De Keukeleire,安森美寬禁帶可靠性與質量保證總監 從 MOSFET 、二極管到功率模塊,功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。 從醫療設備和可再生能源基礎設施,到個人電子產品和電動汽車 (EV),它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。 第三代寬禁帶(WBG)解... (來源:技術文章頻道)
碳化硅 2025-5-16 11:03
當汽車從機械代步工具進化為移動智能空間,一場關于“感知、思考、行動”的電子革命正在悄然發生。在智能網聯汽車和自動駕駛技術快速發展的背景下,由車載總線、智能傳感器和電驅系統構成的復雜車載電子系統正在將汽車電子測試由單一信號捕捉轉變為系統級綜合分析,這無疑對汽車的測試解決方... (來源:技術文章頻道)
汽車車載測試高帶寬 多通道同步采集 協議分析 2025-4-24 16:20
本文作者:Catherine De Keukeleire,安森美(onsemi)寬禁帶可靠性與質量保證總監從MOSFET 、二極管到功率模塊,功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。從醫療設備和可再生能源基礎設施,到個人電子產品和電動汽車(EV),它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續運行。第三代寬禁帶(WBG)解決... (來源:技術文章頻道)
碳化硅 安森美 SiC 2024-12-4 14:03
無論是MOSFET、IGBT,還是SiC MOSFET、GaN HEMT,每個功率器件都需要相應的柵極驅動芯片(Gate Driver IC)。一款合適的驅動芯片,可以簡化你系統設計復雜度,節省研發時間。但不合適的驅動芯片,可能會讓你走彎路。那么,該如何選擇一款合適的柵極驅動芯片?我們專門請納芯微技術市場經理龐家華進行了... (來源:技術文章頻道)
柵極驅動器 隔離驅動器 容耦 2024-11-11 14:30
如今,圍繞第三代半導體的研發和應用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導率、更高的電子飽和速度等特點,第三代半導體材料能夠滿足未來電子產品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求,被認為是突破傳統硅(Si)器件性能天花板的必由之路。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三... (來源:技術文章頻道)
GaN器件 碳化硅 2024-10-25 10:25