碳化硅(SiC)技術(shù)已超越傳統(tǒng)的硅(Si)絕緣柵雙極晶體管(IGBT)應(yīng)用,因?yàn)樗哂写蠊β氏到y(tǒng)的主要熱和電氣優(yōu)勢。這些優(yōu)勢包括更高的開關(guān)頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的組件和模塊,作為系統(tǒng)升級和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的新選... (來源:技術(shù)文章頻道)
碳化硅(SiC)技術(shù)碳化硅信號 2023-8-18 11:14