常規(guī)開(kāi)關(guān)(例如MOSFET或IGBT)通常具有正導(dǎo)電狀態(tài)和反向阻塞狀態(tài)。例如,使用MOSFET主體二極管或與IGBT添加抗平行二極管,可以使用第三象限傳導(dǎo)。這允許反向傳導(dǎo)流,但沒(méi)有任何門控制。這些設(shè)備通常可以通過(guò)在背對(duì)背(B2B)配置中使用這些設(shè)備中的兩個(gè)設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)可開(kāi)關(guān)的雙向流。 由于有效的州電阻(... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
MOSFET氮化鎵單片雙向開(kāi)關(guān) 2025-4-17 09:13
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng),由單相或三相電網(wǎng)功率或儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)提供動(dòng)力,可以通過(guò)固態(tài)電路保護(hù)提高其可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高壓固態(tài)電池?cái)嚅_(kāi)連接開(kāi)關(guān)時(shí),需要考慮一些基本的設(shè)計(jì)決策。關(guān)鍵因素包括半導(dǎo)體技術(shù),設(shè)備類型,熱包裝,設(shè)備堅(jiān)固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
高壓SIC電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān) 2025-2-13 11:00
Microchip Technology Inc. 碳化硅業(yè)務(wù)部資深顧問(wèn)級(jí)應(yīng)用工程師 Ehab Tarmoom 得益于固態(tài)電路保護(hù),直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)(由單相或三相電網(wǎng)電源或儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)供電)可提升自身的可靠性和彈性。在設(shè)計(jì)高電壓固態(tài)電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)時(shí),需要考慮幾項(xiàng)基本的設(shè)計(jì)決策。其中關(guān)鍵因素包括... (來(lái)源:技術(shù)文章頻道)
Microchip SiC 高電壓電池 2025-1-9 11:01