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搜索到13條【固態(tài)變壓器】相關(guān)的技術(shù)文章。

面向AI領(lǐng)域的±400V/800V熱插拔保護(hù)與遙測(cè)技術(shù)

面向AI領(lǐng)域的±400V/800V熱插拔保護(hù)與遙測(cè)技術(shù)

作者：Donal McCarthy，數(shù)據(jù)中心電源營(yíng)銷總監(jiān) 摘要隨著GPU功耗的持續(xù)攀升，AI服務(wù)器環(huán)境中的供電需求不斷增長(zhǎng)，本文圍繞此趨勢(shì)展開(kāi)討論。文中重點(diǎn)闡述了供電架構(gòu)從48V向800V的轉(zhuǎn)型變化，并探討了隨著數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施的演進(jìn)，ADI在高壓熱插拔保護(hù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新成果。數(shù)... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

熱插拔保護(hù)電源電路保護(hù) 2025-12-23 15:00

氮化鎵單片雙向開(kāi)關(guān)

氮化鎵單片雙向開(kāi)關(guān)

常規(guī)開(kāi)關(guān)（例如MOSFET或IGBT）通常具有正導(dǎo)電狀態(tài)和反向阻塞狀態(tài)。例如，使用MOSFET主體二極管或與IGBT添加抗平行二極管，可以使用第三象限傳導(dǎo)。這允許反向傳導(dǎo)流，但沒(méi)有任何門控制。這些設(shè)備通常可以通過(guò)在背對(duì)背（B2B）配置中使用這些設(shè)備中的兩個(gè)設(shè)備來(lái)實(shí)現(xiàn)可開(kāi)關(guān)的雙向流。由于有效的州電阻（... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

MOSFET氮化鎵單片雙向開(kāi)關(guān) 2025-4-17 09:13

5步法克服碳化硅制造挑戰(zhàn)

5步法克服碳化硅制造挑戰(zhàn)

本文作者：Catherine De Keukeleire，可靠性與質(zhì)量保證總監(jiān)，寬禁帶，安森美(onsemi)幾十年來(lái)，硅（Si）一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無(wú)處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來(lái)越明顯。隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

碳化硅制造寬禁帶 2024-11-26 10:58

克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來(lái)電力電子應(yīng)用

克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來(lái)電力電子應(yīng)用

作者：Catherine De Keukeleire，可靠性與質(zhì)量保證總監(jiān)，寬禁帶，安森美幾十年來(lái)，硅（Si）一直是半導(dǎo)體行業(yè)的主要材料——從微處理器到分立功率器件，無(wú)處不在。然而，隨著汽車和可再生能源等領(lǐng)域?qū)ΜF(xiàn)代電力需求應(yīng)用的發(fā)展，硅的局限性變得越來(lái)越明顯。隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

碳化硅制造 SiC 電力電子 2024-10-24 10:32

保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

作者：安森美 Ajay Sattu 在工業(yè)、汽車和可再生能源應(yīng)用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術(shù)的組件，比如 SiC，對(duì)提高能效至關(guān)重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實(shí)現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對(duì)于轉(zhuǎn)用 SiC 技術(shù)的公司而言，建立穩(wěn)健的供應(yīng)鏈為何至關(guān)重要。在廣泛的工業(yè)... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

碳化硅 (SiC) 器件可再生能源 2023-9-15 15:01

碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)

碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)

文章來(lái)源：Power Electronics News在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來(lái)了一種替代材料，它能減輕對(duì)硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

碳化硅電氣化趨勢(shì) 2023-2-17 11:11

雙柵結(jié)構(gòu) SiC FETs 在電路保護(hù)中的應(yīng)用

雙柵結(jié)構(gòu) SiC FETs 在電路保護(hù)中的應(yīng)用

2022 年 12 月 6 - 7 日，中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)低壓電器專業(yè)委員會(huì)第二十一屆學(xué)術(shù)年會(huì)、第十七屆中國(guó)智能電工技術(shù)論壇暨固態(tài)新型斷路器技術(shù)發(fā)展及應(yīng)用國(guó)際研討會(huì)（第二季）于江蘇常州順利召開(kāi)。作為一場(chǎng)行業(yè)盛會(huì)，該會(huì)議主要圍繞固態(tài)/混合式新型斷路器的最新技術(shù)、前沿標(biāo)準(zhǔn)、全新檢測(cè)業(yè)務(wù)方向等相關(guān)解決方案... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

電路保護(hù)SiC－FETs 2022-12-28 17:02

通過(guò)轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問(wèn)題

通過(guò)轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問(wèn)題

高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過(guò)，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高性能的同時(shí)，應(yīng)對(duì)所有其他挑戰(zhàn)。在過(guò)去20年間，額定電... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

功率轉(zhuǎn)換 SiC MOSFET 2022-12-20 09:53

通過(guò)轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問(wèn)題

通過(guò)轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET，無(wú)需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問(wèn)題

Microchip Technology Inc.Xuning Zhang和Kevin Speer高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過(guò)，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在有機(jī)會(huì)在提高... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

Microchip SiC MOSFET 2022-11-22 11:35

一種新型3．6－kV／400－A SiC IPM可提升電源應(yīng)用的性能

一種新型3．6－kV／400－A SiC IPM可提升電源應(yīng)用的性能

高能效對(duì)于多種大電流電源應(yīng)用至關(guān)重要，包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、可再生能源系統(tǒng)和固態(tài)變壓器。盡管硅長(zhǎng)期以來(lái)一直是這些應(yīng)用中使用的主要半導(dǎo)體，但由于SiC提供的卓越靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能，中壓碳化硅 MOSFET 功率模塊正成為替代當(dāng)前 Si IGBT 模塊的最佳解決方案。中壓 SiC MOSFET 和 JFE... （來(lái)源：技術(shù)文章頻道）

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng)電源 2022-8-5 09:43

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