10月27日訊,Motorola公司推出業界首個4Mb的磁阻型隨機存取存儲器(MRAM)芯片,現在可向有選擇的客戶提供樣品. 4Mb MRAM芯片是采用o.18um技術制造.MRAM是一種革命性存儲器技術,它具有難以置信的持久性和速度,能替代今天的半導體存儲器技術.MRAM在單一芯片組合了三種主要存儲器的性能:eDRAM的密度,eSRAM的... (來源:新品頻道)
2003-10-28 14:11