ISSI公司近日推出IS34TS02，是一個具有2Kb串行存在檢查EEPROM的溫度傳感器。該器件專用于存儲器模塊。 IS34TS02符合RoHS標準，具有串行存在檢查（SPD）性能和溫度傳感器，使其非常適合應用于DDR3存儲器模塊。SPD是一個存儲器硬件性能，能使計算機知道存儲器是否存在，以及使用什么時序來訪問存儲器。... （來源：新品頻道）
ISSI公司串行EEPROM溫度傳感器S34TS02 2009-8-14 13:29
6月18日訊，ISSI公司(Integrated Silicon Solution, Inc)推出新型超低功耗假靜態RAM(PSRAM)IS32WV16100 和IS32WV16200，其工作電壓從2.3V到3.6V，結構為1Mx16和 2Mx16，很適合用在下一代手機以及無線手持設備和手提應用。 16Mb和32Mb器件的速度有70ns和100ns，非常低的待機電流(50uA)和工作電流(10mA)。... （來源：新品頻道）
存儲器器 2003-7-3 14:14
11月4日訊，ISSI公司推出用在汽車電子市場的新型DRAM和SRAM存儲器器產品。這些產品包括有：比六個晶體管的SRAM成本更低的假SRAM(PSRAM）；閃存和PSRAM多片封裝(MCP)；16M位擴充數據總線(EDO)和x4 和x16格式的快頁模式DRAM；x16格式的16M位，64M位同步DRAM；x16格式的256K，1M位，4M位，8M位異步DRAM；2... （來源：新品頻道）
存儲器 2002-11-14 16:12
10月15日訊，ISSI公司推出兩種新型NOR閃存和假SRAM組合在一個封裝的MCP 器件IS75V16F64GS16 和 IS75V16F64GS32。這些新產品有高密度隨機存取存儲器16M位或32M位的假SRAM(PSRAM)和64M位閃存。市場部副總裁Sanjiy Asthana說："PSRAM解決方案比等效的六晶體管SRAM成本更低。這和模塊提高空間效率一起... （來源：新品頻道）
存儲器 2002-11-1 11:29
十月三日訊，ISSI公司推出了2兆位(Mb)高速異步SRAM，其功耗更低，存取時間更快，為8ns。這種新的2Mb高速SRAM，工作時消耗不到50mA的電流，等待時低于500uA。該產品很適合用在和DSP有關的產品中。有X16和X8的選擇，IS61LV12816L和IS61LV2568L的工作電壓為3.3V,有工業溫度等級。高速低功耗的特性使2Mb SR... （來源：新品頻道）
存儲器 2002-10-10 15:36
8月26日訊，ISSI公司推出增強型1K位微絲串行EEPROM IS93C46A。新增性能如下：增加時鐘速率到2MHz, 施密特觸發器輸入降低噪音干擾，改善保存周期，數據結構x8 或x16以方便應用。有眾多的各個領域的電子應用客戶使用1K位微絲串行EEPROM。該器件工作電流典型值為0.5mA，待機電流為2微安，每字節有1百萬次保... （來源：新品頻道）
存儲器 2002-9-16 11:06
<rt id="ouqgo"></rt>
搜索到6條【ISSI公司】相關的新品。
搜索到6條【ISSI公司】相關的新品。
查看關鍵詞的分類頻道
