高功率瞬態電壓抑制二極管 在現代電子設備精密復雜的電路中,瞬時電壓沖擊猶如隱形殺手,隨時可能造成致命損傷。統計數據顯示,超過35%的電子設備故障源于電壓瞬變和靜電放電。無論是突如其來的雷擊浪涌,還是看似微不足道的靜電釋放,都足以讓精心設計的電路板瞬間癱瘓。 作為國內領先的電路保護... (來源:新品頻道)
薩瑞微電子M4SMFTVS二極管 2025-10-31 10:13
龍騰半導體最新推出650V/40A/99mΩ超結MOSFET,其內置FRD,適應LLC應用,并適合多管應用,具有更快的開關速度,更低的導通損耗;極低的柵極電荷(Qg),大大提高系統效率和優異的EMI性能。 該產品耐壓為650V,導通電阻僅為99mΩ,使得MOS管在導通狀態下實現更小的功率損耗和更高的效率,同... (來源:新品頻道)
龍騰半導體MOSFET 2025-9-28 10:02
Enphase Energy采用全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)的 600 V CoolMOS™ 8高壓超結(SJ)MOSFET產品系列,簡化了系統設計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統的領先供應商。通過... (來源:新品頻道)
英飛凌Enphase600 V CoolMOS 8MOSFET 2025-3-28 08:45
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出600 V CoolMOS™ 8 高壓超結(SJ)MOSFET產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先進特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產品系列的后續產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅基解決方案,豐富了英飛... (來源:新品頻道)
英飛凌600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列先進電源應用 2024-6-26 14:39
STPOWER MDmesh DM9 AG系列的車規600V/650V超結 MOSFET為車載充電機(OBC)和采用軟硬件開關拓撲的DC/DC轉換器應用帶來卓越的能效和魯棒性。 這些硅基晶體管具有出色的單位芯片面積導通電阻RDS(on)和非常低的柵極電荷,兼備很低的能量損耗和優異的開關性能,同時,品質因數成為新的市場標桿。與上一代... (來源:新品頻道)
意法半導體 車規MDmesh DM9 MOSFET 2024-3-29 14:35
Transphorm, Inc.宣布推出其最新的評估板TDTTP4000W065AN。該評估板為高達4千瓦(kW)的單相交流轉直流(AC-DC)電源轉換而設計,采用無橋圖騰柱功率因數校正(PFC)拓撲和傳統的模擬控制。 TDTTP4000W065AN充分利用SuperGaN™ FET的性能,設計更簡單 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產... (來源:新品頻道)
TransphormGaN評估板 2020-9-4 11:05
更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出CoolMOS™ P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。該器件甚至能達到最嚴格的設計要求:用于照明、智能電表、移動充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業SMPS應用。這種全新半導體... (來源:新品頻道)
智能電表 移動充電器 950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件 2018-8-27 16:22
憑借600 V CoolMOS™ CFD7,英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結MOSFET技術。該600 V CoolMOS™ CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場對諧振拓撲的需求。它的LLC和ZVS PSFB等軟開關拓撲具備業內領先的效率和可靠性。這使其非常適合服務器、電信設備電源和電動... (來源:新品頻道)
CoolMOS CFD7 SJ MOSFET 英飛凌 2017-11-24 15:38
中國,2017年5月22日——意法半導體推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管,內部增加一個快速恢復二極管的甚高壓(VHV)超結晶體管,這樣結構有助于設計人員最大限度提升各種功率轉換拓撲的能效,包括零壓開關(ZVS)LLC諧振轉換器。 作為超結MOSFET管,新產品額定電壓范圍950V至1050V,開關性能、導... (來源:新品頻道)
意法半導體MDmesh MOSFET內置快速恢復二極管 2017-5-22 16:47
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)壯大現有的CoolMOS™技術產品陣容,推出600 V CoolMOS™ P7和600 V CoolMOS™ C7 Gold (G7)系列。這兩個產品系列的擊穿電壓高達600 V,具備更出色的超結MOSFET性能。它們可在目標應用中實現非常出色的功率密度。 600 V CoolMOS P7:高... (來源:新品頻道)
英飛凌高壓MOSFET600 V CoolMOS P7600 V CoolMOS C7 Gold 2017-4-10 11:30