至信微電子最新推出的ED3封裝2000V/600A高壓SiC MOSFET功率模塊，采用第三代SiC MOSFET芯片技術(shù)，集成了SiC二極管，在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出卓越的導(dǎo)通電阻RDS(on)與二極管正向壓降(VSD)。該模塊具備更快的開關(guān)響應(yīng)、更高的工作效率、更優(yōu)的系統(tǒng)可靠性以及更出色的功率轉(zhuǎn)換效率，廣泛適用于高頻應(yīng)用場景，并... （來源：新品頻道）
至信微電子ED3MOSFET 2025-9-15 11:10
至信微碳化硅（SiC）技術(shù)的高性能芯片，核心參數(shù)如下：性能優(yōu)勢正向電阻溫漂特性出色，電磁優(yōu)化設(shè)計輸入電阻更小、門極電荷更低器件電容低（輸出、反向傳輸電容行業(yè)領(lǐng)先）耐浪涌和短路能力超強體二極管性能優(yōu)異（低正向壓降、低反向恢復(fù)電荷）工作溫度可達 175℃且保持常閉穩(wěn)定應(yīng)用價值與商用驅(qū)動器兼容... （來源：新品頻道）
至信微電子碳化硅（SiC）技術(shù) 2025-4-22 09:18
至信微碳化硅（SiC）高性能模塊，采用SOT-227封裝形式，單顆芯片可承載高達266A的電流。其核心參數(shù)如下： 產(chǎn)品亮點 高耐壓與大電流 VDS = 1200V，ID = 266A（TC=25℃） 單芯片可承載266A電流。 低導(dǎo)通電阻 RDS(on).typ = 7.6mΩ@VGS=18V，顯著降低能耗 高速開關(guān) 低電容設(shè)計，支持高頻開關(guān)，減少... （來源：新品頻道）
至信微SOT－227模塊 2025-4-8 09:55
在電動汽車快充、工業(yè)電源及可再生能源等高電壓領(lǐng)域，高效、緊湊、可靠的功率模塊始終是技術(shù)突破的核心。至信微電子正式推出EASY 2B SMC300HB120E2A1碳化硅功率模塊，以行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)規(guī)格與創(chuàng)新設(shè)計，重新定義高壓高頻應(yīng)用的性能標準。 五大革新 極致功率密度 1200V SiC MOSFET+低電感設(shè)計 300A 持... （來源：新品頻道）
至信微電子碳化硅功率模塊 2025-3-31 09:58
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