在新能源汽車、高效能源轉換等關鍵系統中,功率器件的驅動與保護性能直接影響整機可靠性與能效表現。川土微電子全新推出的 CA-IS3217/8-Q1 系列增強型隔離柵極驅動器,目前已正式量產。該產品集成±10A強驅動、隔離ADC(精度±0.5% ,用于母線采樣)、原副邊ASC、快速DESAT保護與... (來源:新品頻道)
川土微電子柵極驅動器 2025-11-30 14:25
納芯微正式推出車規級隔離半橋驅動芯片NSI6602MxEx系列,該系列在納芯微明星產品NSI6602基礎上,集成了米勒鉗位功能,同時兼具高隔離電壓、低延時、死區可配、欠壓閾值可選等特點,適用于驅動SiC、IGBT等器件,可廣泛應用于新能源汽車OBC、DC/DC、主動懸架等場景。 NSI6602MxEx與NSI6... (來源:新品頻道)
納芯微NSI6602MxEx驅動芯片半橋 2025-7-14 15:59
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,最新推出一款可用于驅動碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備+6.8 A/–4.8 A的輸出電流,采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。 在逆變器等... (來源:新品頻道)
東芝驅動碳化硅(SiC)MOSFET柵極驅動光電耦合TLP5814 2025-3-6 15:02
納芯微正式推出具有隔離模擬采樣功能的智能隔離驅動 NSI67X0 系列,該系列適用于驅動 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功率器件,兼具車規等級(滿足 AEC-Q100 標準)和工規等級,可廣泛適用于新能源汽車、空調、電源、光伏等應用場景。該系列隔離柵極驅動器,將一路帶有隔離模擬轉PWM采樣功能的傳感器,等效為單... (來源:新品頻道)
納芯微 NSI67X0 隔離柵極驅動器 2024-12-11 11:00
STGAP系列隔離柵極驅動器具有穩健性能、簡化設計、節省空間和高可靠性的特性意法半導體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。這些驅動器具有集成的高壓半橋、單個和多個低壓柵極驅動器,非常適合各種應用。在確保安全控制方面,STGAP系列隔... (來源:新品頻道)
意法半導體 隔離柵極驅動器 碳化硅 2024-2-29 10:04
穩健、高效,可像 MOSFET 一樣驅動Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司,開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日宣布推出其 ICeGaN™ 650 V 氮化鎵 HEMT H2 系列產品,該器件具備業界領先的穩健性、易用性,可實現歷史最高效率。H2 系... (來源:新品頻道)
Cambridge GaN DevicesICeGaN ICs 2023-5-15 15:28
英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)繼推出 EiceDRIVER™ 6ED223xS12T 系列 1200 V 絕緣體上硅(SOI)三相柵極驅動器之后,現又推出 EiceDRIVER 2ED132xS12x 系列,進一步擴展其產品組合。該驅動器 IC系列的半橋配置補充了現有的 1200V SOI 系列,為客戶提供了更多的選擇以及... (來源:新品頻道)
英飛凌EiceDRIVER 1200 V 半橋驅動器 IC系列 2023-5-8 09:16
納芯微單通道智能隔離式柵極驅動器NSi68515,專為驅動高達2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設計,可廣泛應用于工業變頻器、伺服、機器人,空調壓縮機,新能源汽車主驅,光伏逆變器、儲能、UPS、高功率電源等領域。NSi68515輸入方式兼容光耦輸入,且輸入端與輸出端采用雙電容增強隔離技術,基于... (來源:新品頻道)
納芯微智能隔離單管驅動器NSi68515 2023-2-24 14:14
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布擴大其智能柵極驅動光耦產品線,推出一款輸出電流為2.5A的智能柵極驅動光耦---“TLP5222”。這是一種可為MOSFET或IGBT等功率器件提供過流保護的隔離柵極驅動IC,內置保護操作自動恢復的功能。該產品于今日開始出貨。 TLP5222持續監測其驅動的功率... (來源:新品頻道)
東芝柵極驅動光耦TLP5222 2022-8-31 16:09
意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間,簡化電路設計。 IGBT驅動器STGAP2HD 和SiC MOSFET驅動器STGAP2SICD 利用意法半導體最新的電隔離技術,采用SO-36W 寬體封裝,能夠耐受6kV瞬變電壓。此外,±100V/ns dv/dt 瞬變耐量可防止... (來源:新品頻道)
意法半導體SiCIGBT開關電路STGAP2HD STGAP2SICD 2022-2-15 17:02