格羅方德公司今天宣布，已證實運用14納米FinFET工藝在硅芯片上實現(xiàn)真正長距離56Gbps SerDes性能。作為格羅方德高性能ASIC產(chǎn)品系列的一部分，F(xiàn)X-14™ 具有56Gbps SerDes，致力于為提高功率和性能的客戶需求而生，亦為應(yīng)對最嚴苛的長距離高性能應(yīng)用需求而準備。 格羅方德56Gbps SerDes 內(nèi)... （來源：新品頻道）
格羅方德14nm FinFET工藝技術(shù)56Gbps長距離SerDes 2016-12-14 14:08
格羅方德半導(dǎo)體（GlobalFoundries）于今日宣布針對硅鍺（SiGe）高性能技術(shù)組合，推出新一代射頻芯片解決方案。該項技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方案的客戶而打造，適用于汽車雷達、衛(wèi)星通信、5G毫米波基站等其他無線或有線通信網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用。 格羅方德半導(dǎo)體的硅鍺 8XP技術(shù)是該公司130nm高性能硅鍺系列產(chǎn)品... （來源：新品頻道）
格羅方德130nm硅鍺射頻技術(shù) 2016-6-8 14:06
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