全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅(qū)動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非... （來源：新聞頻道）
ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex Microtechnology 2023-3-23 14:09
——訪安森美半導體中國區(qū)銷售副總裁謝鴻裕 安森美半導體自1999年從摩托羅拉分拆以來，已走過20年，這些年通過不斷地戰(zhàn)略并購和謀求有機發(fā)展，已成功轉(zhuǎn)型為一家領先的半導體方案公司。安森美半導體聚焦汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)和云電源等高增長領域，憑借領先的技術能力，廣泛的產(chǎn)品陣容，不斷滿足各領域?qū)?.. （來源：新聞頻道）
汽車電子物聯(lián)網(wǎng)云電源 2020-1-8 10:30
隨著市場對SiC技術的效率和功率密度的要求不斷上升，新推出的700VMOSFET和700V、1200VSBD可為客戶提供更多選擇汽車、工業(yè)、太空和國防領域越來越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。今日，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）通過其子公司Microsemi（美高森美）宣布推出一... （來源：新聞頻道）
碳化硅（SiC） 700VMOSFET和700V、1200VSBD SiC功率模塊 2019-5-17 11:11
展示針對強固電源應用的混合IGBT和廣泛的IGBT驅(qū)動器，提供同類最佳的電流性能和保護特性推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。 AFGHL50T65... （來源：新聞頻道）
混合IGBT 隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器 AFGHL50T65SQDC 碳化硅(SiC) 2019-4-30 14:46
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