全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產(chǎn)品。該電源模塊系列包括驅(qū)動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機驅(qū)動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非... (來源:新聞頻道)
ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex Microtechnology 2023-3-23 14:09
——訪安森美半導體中國區(qū)銷售副總裁謝鴻裕 安森美半導體自1999年從摩托羅拉分拆以來,已走過20年,這些年通過不斷地戰(zhàn)略并購和謀求有機發(fā)展,已成功轉(zhuǎn)型為一家領先的半導體方案公司。安森美半導體聚焦汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)和云電源等高增長領域,憑借領先的技術能力,廣泛的產(chǎn)品陣容,不斷滿足各領域?qū)?.. (來源:新聞頻道)
汽車電子物聯(lián)網(wǎng)云電源 2020-1-8 10:30
隨著市場對SiC技術的效率和功率密度的要求不斷上升,新推出的700VMOSFET和700V、1200VSBD可為客戶提供更多選擇汽車、工業(yè)、太空和國防領域越來越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。今日,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)通過其子公司Microsemi(美高森美)宣布推出一... (來源:新聞頻道)
碳化硅(SiC) 700VMOSFET和700V、1200VSBD SiC功率模塊 2019-5-17 11:11
展示針對強固電源應用的混合IGBT和廣泛的IGBT驅(qū)動器,提供同類最佳的電流性能和保護特性推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON),將于5月7日開始的德國紐倫堡歐洲PCIM 2019展會推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相關的隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器。 AFGHL50T65... (來源:新聞頻道)
混合IGBT 隔離型大電流IGBT門極驅(qū)動器 AFGHL50T65SQDC 碳化硅(SiC) 2019-4-30 14:46