據The Elec報道，三星宣布與三星先進技術研究所已成功開發出一種新型晶體管，能夠實現在10納米以下制程節點生產DRAM。 這一突破有望解決移動內存進一步微縮所面臨的關鍵物理挑戰，為未來設備帶來更高的容量與性能表現。 傳統DRAM制程的微縮在進入10納米以下節點后，因物理極限而面臨嚴峻挑戰。 ... （來源：新聞頻道）
三星10nm DRAM 2025-12-17 16:21
記者從日前在北京舉行的“2026中國信通院深度觀察報告會”上獲悉，2025年我國腦機接口產業發展成效顯著，在核心技術突破、多場景應用落地及產業生態構建等方面均實現重要進展，為行業規模化發展與高質量升級奠定堅實基礎。 中國信息通信研究院知識產權與創新發展中心主任李文宇在報告會上... （來源：新聞頻道）
腦機接口 2025-12-17 13:06
《Nature》12 月 12 日發文，稱中國在 90% 的關鍵技術領域處于研發領先地位 —— 這是一個世紀性的轉變。 澳大利亞戰略政策研究所（ASPI）發布的最新《關鍵技術追蹤報告》顯示，中國在 74 項關鍵技術中，有 66 項在高影響力研究方面排名全球第一，領先比例接近 90%，例如云與邊緣計算... （來源：新聞頻道）
技術 2025-12-15 09:51
據央視新聞報道，記者從中國信息通信研究院了解到，今年以來，我國人工智能產業呈加速發展態勢，2025 年人工智能核心產業規模有望突破萬億元。 數據顯示，今年以來，生產制造環節的大模型應用增長顯著，應用案例占比由去年的 19.9% 增長至 25.9%，帶動人工智能產業規模快速增長。 中國信息通... （來源：新聞頻道）
人工智能AI 2025-12-15 09:46
11月14日，任正非在位于上海的華為練秋湖研發中心與ICPC全球優勝者及教練座談，圍繞AI未來、教育本質與青年成長展開對話。他強調“教育是教育，商業是商業”，并指出人工智能應聚焦未來三至五年的產業應用，推動工業、醫療等領域的實質性進步。面對時代浪潮，他鼓勵青年“敢于在質疑中前... （來源：新聞頻道）
任正非 2025-12-5 15:05
近日，美國電子電氣工程師學會（Institute of Electrical and Electronic Engineers，IEEE）發布了2026年度新晉IEEE Fellow名單，中國科學院微電子研究所葉甜春、清華大學吳華強、同濟大學童美松等多名多位集成電路領域學者當選。 其中，葉甜春當選理由是表彰其對中國具有社會影響的先進制造裝備... （來源：新聞頻道）
葉甜春吳華強IEEE Fellow 2025-12-5 09:18
2025年，人形機器人的運動能力無疑在突飛猛進，然而能快速奔跑跳躍甚至后空翻的機器人，卻可能拿不穩一顆雞蛋——這一尷尬反差，正是行業發展的核心痛點。在驚艷的運動性能背后，"精細操作"能力的缺失，正成為機器人廣泛商用落地的關鍵瓶頸。這一共識之下，攻克高精度、低成本的觸... （來源：新聞頻道）
戴盟機器人 2025-12-5 09:05
當AI大模型掀起算力革命，高性能計算（HPC）、智能汽車、消費電子等領域對芯片性能的需求呈指數級增長，以異構集成為方向的先進封裝技術作為超越摩爾定律瓶頸的重要手段，使半導體封裝行業從半導體產業鏈的“后端環節”躍升為決定算力上限的核心競爭力之一。在全球半導體競爭聚焦于2.5D/3D封... （來源：新聞頻道）
汽車電子 2025-12-2 13:59
中國科學院宣布，電工研究所科研團隊近日在大口徑高場通用超導磁體技術方面取得突破。 電工研究所團隊成功研制出中心磁場強度高達 16.5 特斯拉、內孔直徑達 150mm 大口徑高場通用超導磁體。注意到，這一成果創造了迄今為止國內同類大口徑通用超導磁體最高磁場紀錄。 據介紹，該團隊在研制過程... （來源：新聞頻道）
超導磁體技術 2025-11-28 14:21
中國科學院電工研究所科研團隊在大口徑高場通用超導磁體技術領域取得重要突破，成功自主研制出中心磁場強度達16.5特斯拉、內孔直徑為150毫米的大口徑高場通用超導磁體。該成果創造了國內同類大口徑通用超導磁體的最高磁場紀錄。 作為強磁場科學研究的關鍵平臺，大口徑高場通用超導磁體能夠提供大空間... （來源：新聞頻道）
超導磁體 2025-11-28 11:03
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