據外媒The register報道，英國新創公司SPhotonix近期宣布，突破性5D 玻璃儲存即將走出實驗室，將會于兩年內在全球數據中心試點部署。這項源自南安普敦大學的新技術能在單片5英寸玻璃盤儲存高達360TB數據，且在190°C 環境可保存138 億年──相當于宇宙年齡。 全球數據中心面臨關鍵挑戰：統計數據... （來源：新聞頻道）
5D玻璃存儲 2025-12-22 14:03
據路透社近日報道，聞泰科技旗下功率半導體大廠安世半導體（Nexperia）中國公司已經鎖定本地企業的晶圓供應，以覆蓋其2026年對于IGBT產品制造所需的全部生產。而荷蘭安世半導體目前仍因與聞泰科技的控制權糾紛而未恢復對安世中國工廠的晶圓供應。 報道稱，中國安世的這一舉措將使這兩個月前宣布獨立... （來源：新聞頻道）
中國安世IGBT 2025-12-22 13:21
三星正式發布了Exynos 2600，這是全球首款采用2nm制程工藝的移動系統芯片（SoC），基于三星的Gate-All-Around（GAA）工藝制造。這款10核ARM架構芯片旨在為即將推出的Galaxy S26系列等旗艦設備帶來更佳的性能和能效。 這款芯片采用Arm最新內核，并支持全新指令集，可顯著提升CPU速度和設備端AI性能。... （來源：新聞頻道）
三星Exynos 26002nm手機 2025-12-22 11:17
據Wccftech報道，英特爾目前已準備好將其最為先進的Intel 14A工藝節點向廣泛外部客戶開放。廣發證券香港的分析顯示，英偉達（NVIDIA）和AMD計劃將該工藝應用到自己的下一代服務器CPU產品當中。而在此之前還有傳聞稱，英特爾贏得了代工蘋果公司AI服務器芯片的訂單。 為了發展晶圓代工業務，贏得更多的... （來源：新聞頻道）
High NA EUV光刻機Intel 2025-12-19 14:22
此次合作拓展了安森美功率產品組合，涵蓋面向AI數據中心、汽車、航空航天及其他關鍵市場的高性能650V橫向氮化鎵（GaN）解決方案。 概要： 安森美（onsemi）與格羅方德（GlobalFoundries, GF）達成全新合作協議，進一步鞏固其在智能電源產品領域的領導地位，雙方將共同研發并制造下一代... （來源：新聞頻道）
安森美格羅方德氮化鎵 2025-12-19 13:08
作為瑞典高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）技術領域的重要企業，Ionautics長期深耕于高端涂層設備研發與工藝創新，憑借可靠的技術方案為全球表面工程及PVD（物理氣相沉積）行業提供專業設備支撐，在高精度涂層技術工業化應用領域積累了良好的行業口碑。 近日，Ionautics公司再次官宣重要進展—&mda... （來源：新聞頻道）
脈沖磁控濺射Ionautics 2025-12-18 22:43
據The Elec報道，三星宣布與三星先進技術研究所已成功開發出一種新型晶體管，能夠實現在10納米以下制程節點生產DRAM。 這一突破有望解決移動內存進一步微縮所面臨的關鍵物理挑戰，為未來設備帶來更高的容量與性能表現。 傳統DRAM制程的微縮在進入10納米以下節點后，因物理極限而面臨嚴峻挑戰。 ... （來源：新聞頻道）
三星10nm DRAM 2025-12-17 16:21
英特爾宣布該其尖端制程晶圓廠已安裝了ASML的第二代High-NA EUV光刻機TWINSCAN EXE:5200B，這也是目前全球最先進的光刻設備，將用于Intel 14A 節點制程的量產上。 早在2023年底，ASML 向英特爾交貨了首套High-NA EUV 光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000。英特爾將其做為試驗機，并于2024年初在美國俄勒... （來源：新聞頻道）
英特爾光刻機 2025-12-17 14:36
12月11日，三星電子會長李在镕與特斯拉CEO埃隆·馬斯克在三星位于得克薩斯州的半導體工廠會面。此次會面凸顯了兩家公司日益深化的合作伙伴關系。此時正值這家韓國芯片制造商準備在美國啟動先進芯片生產，并努力穩定特斯拉下一代處理器制造良率的關鍵階段。 據報道，此次會面地點位于三星在得州... （來源：新聞頻道）
三星特斯拉AI汽車 2025-12-17 09:25
據外媒Tom's hardware報道，近日，在美國SkyWater Technology 的商業晶圓廠，斯坦福大學、卡內基美隆大學、賓夕法尼亞大學和麻省理工學院的研究團隊，成功制造出首個在美國制造的單片3D芯片，可能為未來設備帶來高達1,000 倍能效提升。該團隊在12月6日至10日舉行的IEEE國際電子器件會議（IEDM 2025... （來源：新聞頻道）
單片式3D芯片 2025-12-15 15:11
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