三菱電機集團近日（2024年6月10日）宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統在內的大型工業設備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊。與現有的3.3kV/800A模塊一起，新命名的Unifull™系列包含3款產品，以滿足大型工業設備對能夠提高功率輸出和功... （來源：新品頻道）
三菱電機 SBD嵌入式 SiC－MOSFET模塊 2024-6-13 15:02
三菱電機宣布將于5月31日開始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模塊樣品，該半橋模塊額定電壓為3.3kV，絕緣耐壓為6.0kVrms。將有助于為鐵路、電力系統及大型工業變流系統提供更大功率密度、更高效率和可靠性。該產品正在PCIM Europe 2023（5月9-11日，德國紐倫堡）上展出。 3.3kV 集成SBD SiC-MO... （來源：新品頻道）
三菱電機 SiC－MOSFET模塊 2023-5-12 15:17
搜索到2條【SiC－MOSFET模塊】相關的全部。
搜索到2條【SiC－MOSFET模塊】相關的全部。
查看關鍵詞的分類頻道
