此次合作將建立高產能、成本優化的全球 GaN 制造體系,加速高能效功率器件的市場部署 安森美(onsemi)宣布已與英諾賽科(Innoscience)簽署諒解備忘錄,雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵(GaN)硅基工藝,以擴大 GaN 功率器件的生產規模。該合作將整合安森美在系統集成、驅動器... (來源:新聞頻道)
安森美英諾賽科氮化鎵 2025-12-4 12:32
全球領先的硅基氮化鎵制造供應商英諾賽科 (Innoscience,港交所:-2577.HK) 與全球運動控制與節能系統電源及傳感解決方案領導者之一Allegro MicroSystems, Inc.(以下簡稱“Allegro”,納斯達克股票代碼:ALGM),宣布達成戰略合作,推出一款開創性的 4.2kW 全 GaN 參考設計,該設計采用了英... (來源:新品頻道)
Allegro英諾賽科GaN 2025-12-2 10:04
Allegro與英諾賽科聯合推出全GaN參考設計,賦能AI數據中心電源 Allegro 創新柵極驅動器助力工程師實現鈦金級效率和極佳功率密度,滿足嚴苛的 AI 和邊緣計算應用需求 全球運動控制與節能系統電源及傳感解決方案領導者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下簡稱“Allegro&rdquo... (來源:新品頻道)
Allegro 柵極驅動器 2025-11-27 14:21
Allegro 創新柵極驅動器助力工程師實現鈦金級效率和極佳功率密度,滿足嚴苛的 AI 和邊緣計算應用需求 中國 & 美國新罕布什爾州曼徹斯特,2025年11月25日 — 全球運動控制與節能系統電源及傳感解決方案領導者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下簡稱“Allegro”,納斯達克... (來源:新聞頻道)
開關電源驅動芯片 2025-11-25 13:20
隨著人工智能數據中心、電動汽車等高能耗領域的能源需求激增,安森美半導體(Onsemi)推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體,為相關領域的功率密度、效率和耐用性樹立新標桿。這款新一代 GaN-on-GaN 功率器件采用垂直導電設計,電流可垂直流經化合物半導體,能實現更高工作電壓與更快開關頻率,既達到節能... (來源:新聞頻道)
安森美 2025-11-3 10:15
隨著技術的不斷進步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而,這些器件在長期連續使用后會出現老化現象,導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性,成為行業關注的焦點。 目前,針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試... (來源:技術文章頻道)
泰克功率器件老化高溫老化測試 碳化硅 氮化鎵 2025-5-28 11:02
• 自劍橋大學分拆成立的CGD 獲得 C 輪融資,擴大在劍橋、北美、中國臺灣和歐洲的業務 • CGD 利用氮化鎵(GaN)開發的節能半導體重塑電力電子的未來 • CGD 的技術幫助電動汽車和數據中心提高能效,為全球功率半導體行業帶來重大機遇 氮化鎵(GaN)功率器件的領先創新... (來源:新聞頻道)
CGD功率半導體 2025-2-19 09:42
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學檢查、節省了系統成本,并提高了可靠性無晶圓廠環保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN™ 產品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于... (來源:新品頻道)
CGD GaN 功率 IC 封裝 2024-6-5 09:52
為電動汽車、電動工具、筆記本電腦和手機應用開發功率密度超過30 W/in3的140-240 W USB-PD適配器Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司,開發了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業技術研究院(ITRI)簽署了諒解備忘錄,以鞏固... (來源:新聞頻道)
CGD 中國臺灣工業技術研究院 GaN電源開發 2024-5-30 10:26
Cascode GaN FET 動態測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場,因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而,電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易,因為它很容易發生振蕩,并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人... (來源:技術文章頻道)
GaN 功率器件氮化鎵 2024-4-1 09:30