作者：Qorvo功率器件高級工程經理Pete Losee寬帶隙（WBG）器件，尤其是SiC FET、碳化硅JFET的級聯和共封裝硅MOSFET，正在引領降低半導體開關功率損耗的競賽。這種安排產生了一個常關器件，帶有一個簡單的柵極驅動器和一個由“品質因數”組成的獎杯柜，擊敗了所有競爭技術。對于給定電壓等級的器件RDS(A... （來源：技術文章頻道）
Qorvo SiC FET 碳化硅 UJ4SC075005L8S 2023-11-30 15:12
文章來源：Power Electronics News在相當長的一段時間內，硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優于標準硅基器件的多種優... （來源：技術文章頻道）
碳化硅電氣化趨勢 2023-2-17 11:11
歡迎場效應晶體管（FET）的愛好者們再度光臨，閱讀“了解MOSFET產品說明書”博客系列的第四部分！今天，筆者將談論脈沖電流額定值、它們的計算方法以及在FET產品說明書的安全工作區圖中是如何描繪它們的。產品說明書首頁上出現的脈沖電流額定值（IDM）與連續電流額定值很相似，因為它是一個理論上的計算... （來源：技術文章頻道）
脈沖電流額MOSFET 2022-2-8 09:27
電子產品在我們所有應用領域中的使用有助于提高人們對電能質量的認識。 電子設備的廣泛使用引發了能源效率問題，尤其是涉及整個電網的干擾問題，對設備和儀器產生了負面影響。 新型工業4.0中涌現的智能技術需要不間斷且無故障的供電。 電能質量的擾動通常定義為電壓，電流或頻率的變化。... （來源：技術文章頻道）
交流電源線 2020-3-10 10:21
日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側負載開關。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開關的最靈活替代產品。此外，該負載開關還支持可調壓擺率控制，設計人員可在任何需要負載開關或電源排序的應用中使用該器件，... （來源：新品頻道）
TIPFET高側負載開關TPS27081A 2012-10-22 10:38
ON Semiconductor推出共模扼流圈及靜電放電(ESD)保護集成電路(IC) ，應用于高速數據線路。 新的NUC2401MN結合了高帶寬差分濾波、固體共模停止帶寬衰減及世界級ESD保護。這些結合的特性，使這方案遠優于典型的電磁干擾(EMI)濾波器及分立可選方案，同時有助顯著減少元件數量。這器件讓設計人員實現優異的... （來源：新品頻道）
ON SemiconductorESD保護共模扼流圈EMI濾波器 2009-5-31 15:23
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