頂部冷卻(Top-cool)封裝為電動汽車、太陽能基礎設施和儲能系統帶來卓越的散熱性能、可靠性及設計靈活性 中國上海 - 2025年12月 5日--安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON)宣布推出采用行業標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET,為汽車和工業應用的電源封裝技術帶來突破。... (來源:新品頻道)
安森美散熱封裝MOSFET 2025-12-5 16:12
提供超豐富半導體和電子元器件™的業界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 是電源系統與物聯網 (IoT) 領域知名半導體供應商英飛凌的全球授權代理商,供應各種英飛凌解決方案。貿澤供應近20,000種英飛凌元器件,其中超過10,000種有庫存且可立即發貨,通過豐富的英飛凌新品,幫... (來源:新聞頻道)
貿澤電子 2025-9-9 10:30
iDEAL半導體宣布,其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款產品已進入量產階段,另外四款200 V器件現已提供樣品。 SuperQ是硅MOSFET技術在超過25年來的首次重大進步,突破了長期存在的開關和導通限制。它在性能和效率方面實現了階躍式提升,同時保留了硅的核心優勢:堅固性、高產量制造能力,以及... (來源:新品頻道)
iDEALMOSFET 2025-9-5 15:01
新一代(Gen3)1200V aSiC MOSFET系列產品在高負載條件下能夠保持較低的傳導損耗,其開關品質因數(FOM)顯著提升高達30%。在強化性能的同時,確保了卓越的可靠性。 日前,集設計研發、生產和全球銷售為一體的著名功率半導體及芯片解決方案供應商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯... (來源:新品頻道)
AOSMOSFET 2025-5-7 10:41
受訪人:安森美現場應用工程師 Cici Shen、安森美智能感知事業群工業感知部應用工程高級經理 Open Kai、安森美模擬與混合信號事業群業務拓展高級經理 Henry Yang、安森美模擬與混合信號事業部應用專家 Micky Wu 隨著人工智能的開發,邊緣人工智能越來越受到業界重視。作為全球領先的半導體供應商之一... (來源:新聞頻道)
人工智能智能感知邊緣智能 2024-10-30 15:22
近日,由I.S.E.S國際半導體高管峰會參與主辦的“2024國際汽車半導體創新發展交流會”在無錫盛大舉行,瑞能半導體首席戰略及商務運營官沈鑫作為代表受邀出席。本次交流會匯聚了來自全球的汽車與半導體領域的頂尖專家和企業高管,旨在聚焦汽車電子、功率半導體以及智能網聯技術的前沿發展,共探全球汽車產... (來源:新聞頻道)
汽車半導體 2024-10-18 12:57
銳駿半導體本周正式發布兩款全新超低導 通電阻MOSFET產品,型號分別為RUH4040M-B(40V/40A)和RUH4080M-B(40V/80A)。這兩款產品均采用DFN5060封裝,憑借先進的制造工藝和出色的性能表現,將為客戶帶來更高效的解決方案。 封裝引腳描述N-Channel MOSFET系列 RUH4040M-BRUH4040M-B是一款N溝道... (來源:新品頻道)
銳駿半導體超低導通電阻MOSFET RUH4040M-B RUH4080M-B 2024-9-29 09:35
貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET溝槽技術,開啟了電力系統和能量轉換的新篇章,適用于光伏逆變器、能量儲存系統、電動汽車充電、電源和電機驅動應用。 貿澤供貨的英飛凌CoolSiC™ ... (來源:新品頻道)
貿澤 英飛凌 CoolSiC G2 MOSFET 2024-7-24 15:00
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出600 V CoolMOS™ 8 高壓超結(SJ)MOSFET產品系列。該系列器件結合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先進特性,是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7產品系列的后續產品。全新超結MOSFET實現了具有高成本效益的硅基解決方案,豐富了英飛... (來源:新品頻道)
英飛凌600 V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列先進電源應用 2024-6-26 14:39
作為第三代半導體產業發展的重要基礎材料,碳化硅MOSFET具有更高的開關頻率和使用溫度,能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸,提高系統電力轉換效率,并且降低對熱循環的散熱要求。在電力電子系統中,應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件,可以實現更低的開關和導通損耗,同時具有更高... (來源:技術文章頻道)
SiC MOS碳化硅MOSFET世輝基本半導體 2024-6-19 11:31