作者:Frederik Dostal,電源管理專家 摘要 本文詳細討論了GaN技術,解釋了如何在開關模式電源中使用此類寬禁帶開關,介紹了電路示例,并闡述了使用專用GaN驅動器和控制器的優勢。而且,文中展示了LTspice®工具,以幫助理解GaN開關在電源中的使用情況。最后,展望了GaN技術的未來。... (來源:技術文章頻道)
開關模式電源氮化鎵 2025-12-15 13:01
12月8日,英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(簡稱“英諾賽科”)發布自愿公告,宣布其采用650V氮化鎵(GaN)的新一代6.6kW車載充電機(OBC)系統在長安汽車順利裝車,該系統憑借業內領先的充電效率和整機功率密度,為車載電源技術樹立了新標桿。 據悉,此次裝車的新一代6.6kWGaN車載二合一... (來源:新聞頻道)
英諾賽科氮化鎵長安汽車 2025-12-10 09:42
此次合作將建立高產能、成本優化的全球 GaN 制造體系,加速高能效功率器件的市場部署 安森美(onsemi)宣布已與英諾賽科(Innoscience)簽署諒解備忘錄,雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵(GaN)硅基工藝,以擴大 GaN 功率器件的生產規模。該合作將整合安森美在系統集成、驅動器... (來源:新聞頻道)
安森美英諾賽科氮化鎵 2025-12-4 12:32
當地時間2025年12月2日,功率半導體及圖像傳感器大廠安森美與國產氮化鎵(GaN)大廠英諾賽科(Innoscience)宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄(MoU),以評估加速40-200V氮化鎵功率器件部署的機會,并顯著擴大客戶采納度。備忘錄中提出的合作,將安森美在集成系統與封裝領域的領導力與英諾賽科成熟的GaN技... (來源:新聞頻道)
安森美英諾賽科氮化鎵 2025-12-4 09:08
當地時間11月10日消息,晶圓代工大廠格羅方德(GlobalFoundries)今宣布,它已與臺積電就650V和80V氮化鎵(GaN)技術簽訂了技術許可協議。這一戰略舉措將加速格芯在數據中心、工業和汽車電源應用中的下一代氮化鎵產品,并為全球客戶群提供美國的氮化鎵產能。 格羅方德表示,隨著傳統硅CMOS技術達到其... (來源:新聞頻道)
格羅方德臺積電氮化鎵 2025-11-11 15:12
安森美基于全新GaN-on-GaN技術,其垂直GaN架構為功率密度、能效和耐用性樹立新標桿 核心摘要 隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增,安森美推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體,為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代&n... (來源:新聞頻道)
安森美垂直氮化鎵GaN半導體人工智能AI 2025-10-31 13:13
近日,國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺(簡稱"國創中心")在氮化鎵/碳化硅集成領域取得重大技術突破,成功研制出商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構外延。這一突破性成果標志著我國在第三代半導體材料領域取得重要進展,為相關產業鏈上市公司帶來新的... (來源:新聞頻道)
第三代半導體氮化稼碳化硅 2025-10-16 11:02
—— 該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發800VDC供電架構;新發布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術相較于650V GaN和1200V SiC的優勢 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations近日發布一份新的技術白皮書,詳解其PowiGaN™氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶... (來源:新聞頻道)
數據中心PowiGaN技術SiC 2025-10-15 13:07
800 VDC機架電源架構為人工智能數據中心帶來突破性進展,可實現更高效率、更高功率密度,同時降低能耗需求并減少二氧化碳排放。如同電動汽車行業從400V向800V的升級,機架電壓從48V提升至800V可使電流降低16倍,從而大幅減少I²R損耗以及銅材的需求。英諾賽科正與NVIDIA合作,攜手支持800 VDC電源架... (來源:新聞頻道)
英諾賽科電源架構VDC電源 2025-10-14 16:20
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice(股票代碼 603986)與納微半導體(納斯達克股票代碼:NVTS)共同設立的“數字能源聯合實驗室”在合肥正式揭牌。該實驗室將GD32 MCU領域的深厚積累,與納微半導體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術的GeneSiC碳化硅領域的產... (來源:新聞頻道)
兆易創新納微半導體能源電源管理 2025-10-13 14:11