作者：Frederik Dostal，電源管理專家 摘要 本文詳細討論了GaN技術，解釋了如何在開關模式電源中使用此類寬禁帶開關，介紹了電路示例，并闡述了使用專用GaN驅動器和控制器的優勢。而且，文中展示了LTspice®工具，以幫助理解GaN開關在電源中的使用情況。最后，展望了GaN技術的未來。... （來源：技術文章頻道）
開關模式電源氮化鎵 2025-12-15 13:01
12月8日，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司（簡稱“英諾賽科”）發布自愿公告，宣布其采用650V氮化鎵（GaN）的新一代6.6kW車載充電機（OBC）系統在長安汽車順利裝車，該系統憑借業內領先的充電效率和整機功率密度，為車載電源技術樹立了新標桿。 據悉，此次裝車的新一代6.6kWGaN車載二合一... （來源：新聞頻道）
英諾賽科氮化鎵長安汽車 2025-12-10 09:42
此次合作將建立高產能、成本優化的全球 GaN 制造體系，加速高能效功率器件的市場部署 安森美（onsemi）宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴大 GaN 功率器件的生產規模。該合作將整合安森美在系統集成、驅動器... （來源：新聞頻道）
安森美英諾賽科氮化鎵 2025-12-4 12:32
當地時間2025年12月2日，功率半導體及圖像傳感器大廠安森美與國產氮化鎵（GaN）大廠英諾賽科（Innoscience）宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄（MoU），以評估加速40-200V氮化鎵功率器件部署的機會，并顯著擴大客戶采納度。備忘錄中提出的合作，將安森美在集成系統與封裝領域的領導力與英諾賽科成熟的GaN技... （來源：新聞頻道）
安森美英諾賽科氮化鎵 2025-12-4 09:08
當地時間11月10日消息，晶圓代工大廠格羅方德（GlobalFoundries）今宣布，它已與臺積電就650V和80V氮化鎵（GaN）技術簽訂了技術許可協議。這一戰略舉措將加速格芯在數據中心、工業和汽車電源應用中的下一代氮化鎵產品，并為全球客戶群提供美國的氮化鎵產能。 格羅方德表示，隨著傳統硅CMOS技術達到其... （來源：新聞頻道）
格羅方德臺積電氮化鎵 2025-11-11 15:12
安森美基于全新GaN-on-GaN技術，其垂直GaN架構為功率密度、能效和耐用性樹立新標桿 核心摘要 隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增，安森美推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代&n... （來源：新聞頻道）
安森美垂直氮化鎵GaN半導體人工智能AI 2025-10-31 13:13
近日，國家第三代半導體技術創新中心深圳綜合平臺（簡稱"國創中心"）在氮化鎵/碳化硅集成領域取得重大技術突破，成功研制出商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質量氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構外延。這一突破性成果標志著我國在第三代半導體材料領域取得重要進展，為相關產業鏈上市公司帶來新的... （來源：新聞頻道）
第三代半導體氮化稼碳化硅 2025-10-16 11:02
—— 該公司正在與英偉達(NVIDIA)合作開發800VDC供電架構；新發布的白皮書剖析了1250V PowiGaN技術相較于650V GaN和1200V SiC的優勢 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司Power Integrations近日發布一份新的技術白皮書，詳解其PowiGaN™氮化鎵技術能為下一代AI數據中心帶... （來源：新聞頻道）
數據中心PowiGaN技術SiC 2025-10-15 13:07
800 VDC機架電源架構為人工智能數據中心帶來突破性進展，可實現更高效率、更高功率密度，同時降低能耗需求并減少二氧化碳排放。如同電動汽車行業從400V向800V的升級，機架電壓從48V提升至800V可使電流降低16倍，從而大幅減少I²R損耗以及銅材的需求。英諾賽科正與NVIDIA合作，攜手支持800 VDC電源架... （來源：新聞頻道）
英諾賽科電源架構VDC電源 2025-10-14 16:20
業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice（股票代碼 603986）與納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）共同設立的“數字能源聯合實驗室”在合肥正式揭牌。該實驗室將GD32 MCU領域的深厚積累，與納微半導體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術的GeneSiC碳化硅領域的產... （來源：新聞頻道）
兆易創新納微半導體能源電源管理 2025-10-13 14:11
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