據Wccftech報道，英特爾目前已準備好將其最為先進的Intel 14A工藝節點向廣泛外部客戶開放。廣發證券香港的分析顯示，英偉達（NVIDIA）和AMD計劃將該工藝應用到自己的下一代服務器CPU產品當中。而在此之前還有傳聞稱，英特爾贏得了代工蘋果公司AI服務器芯片的訂單。 為了發展晶圓代工業務，贏得更多的... （來源：新聞頻道）
High NA EUV光刻機Intel 2025-12-19 14:22
此次合作拓展了安森美功率產品組合，涵蓋面向AI數據中心、汽車、航空航天及其他關鍵市場的高性能650V橫向氮化鎵（GaN）解決方案。 概要： 安森美（onsemi）與格羅方德（GlobalFoundries, GF）達成全新合作協議，進一步鞏固其在智能電源產品領域的領導地位，雙方將共同研發并制造下一代... （來源：新聞頻道）
安森美格羅方德氮化鎵 2025-12-19 13:08
近年來，人工智能正經歷從“云中心”向“終端側”深度演進的關鍵轉折。隨著大模型能力的普及與多模態智能體（AI Agent）應用的興起，用戶對實時響應、隱私安全、個性化體驗和使用成本的綜合要求不斷提升，推動AI推理任務加速下沉至手機、可穿戴設備、智能家居、車載系統等終端場景... （來源：技術文章頻道）
AI先進制程 2025-12-19 10:04
意法半導體VIPerGaN系列轉換器新增一款65W反激功率轉換器VIPerGaN65W。該系列產品在一個QFN 5x6封裝內集成700V GaN晶體管和準諧振PWM控制器芯片。繼此前發布的VIPerGaN50W之后，新發布的VIPerGaN65W為客戶開發高質量、高性價比的USB-PD充電器、快速充電器和輔助電源提供了更多機會，確保終端產品為用戶... （來源：新品頻道）
意法半導體VIPerGaN功率轉換器VIPerGaN65W 2025-12-19 09:09
作為瑞典高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）技術領域的重要企業，Ionautics長期深耕于高端涂層設備研發與工藝創新，憑借可靠的技術方案為全球表面工程及PVD（物理氣相沉積）行業提供專業設備支撐，在高精度涂層技術工業化應用領域積累了良好的行業口碑。 近日，Ionautics公司再次官宣重要進展—&mda... （來源：新聞頻道）
脈沖磁控濺射Ionautics 2025-12-18 22:43
據The Elec報道，三星宣布與三星先進技術研究所已成功開發出一種新型晶體管，能夠實現在10納米以下制程節點生產DRAM。 這一突破有望解決移動內存進一步微縮所面臨的關鍵物理挑戰，為未來設備帶來更高的容量與性能表現。 傳統DRAM制程的微縮在進入10納米以下節點后，因物理極限而面臨嚴峻挑戰。 ... （來源：新聞頻道）
三星10nm DRAM 2025-12-17 16:21
英特爾宣布該其尖端制程晶圓廠已安裝了ASML的第二代High-NA EUV光刻機TWINSCAN EXE:5200B，這也是目前全球最先進的光刻設備，將用于Intel 14A 節點制程的量產上。 早在2023年底，ASML 向英特爾交貨了首套High-NA EUV 光刻機，型號為TWINSCAN EXE:5000。英特爾將其做為試驗機，并于2024年初在美國俄勒... （來源：新聞頻道）
英特爾光刻機 2025-12-17 14:36
作者：Glenn Morita，應用工程師 為什么電容的選擇至關重要？ 電容往往被人們所忽視。電容既沒有數十億計的晶體管，也沒有采用最新的亞微米制造工藝。在許多工程師的心目中，電容不過是兩個導體加上中間的隔離電解質?？偠灾?，它們屬于最低級的電子元件之一。 工程師們... （來源：技術文章頻道）
LDO電容電源 2025-12-17 14:15
12月11日，三星電子會長李在镕與特斯拉CEO埃隆·馬斯克在三星位于得克薩斯州的半導體工廠會面。此次會面凸顯了兩家公司日益深化的合作伙伴關系。此時正值這家韓國芯片制造商準備在美國啟動先進芯片生產，并努力穩定特斯拉下一代處理器制造良率的關鍵階段。 據報道，此次會面地點位于三星在得州... （來源：新聞頻道）
三星特斯拉AI汽車 2025-12-17 09:25
湖南靜芯推出耐壓 (Vds) 為100V的ESD增強型MOSFET ESP10N10K，可應用于 DC-DC 轉換、負載開關以及便攜設備的電源管理等領域，完美匹配主流PoE功率級別。該器件在SOP8封裝內集成 ESD 器件，使MOS 管在無外置ESD器件保護的情況下擁有 IEC ±10k... （來源：新品頻道）
湖南靜芯ESDMOSFET 2025-12-16 09:05
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