為深入貫徹落實《國務院辦公廳關于印發(fā)〈制造業(yè)綠色低碳發(fā)展行動方案（2025—2027年）〉的通知》（國辦發(fā)〔2025〕21號）精神，加快推廣節(jié)能降碳先進技術，推動重點行業(yè)領域技術改造升級和大規(guī)模設備更新，工業(yè)和信息化部近日正式發(fā)布《國家工業(yè)和信息化領域節(jié)能降碳技術裝備推薦目錄（2025年版）》... （來源：新聞頻道）
制造業(yè)綠色低碳 2025-12-18 22:33
全球微電子工程公司Melexis宣布，推出新版本雙輸入電感傳感器接口MLX90514，專為機器人、工業(yè)及移動出行應用設計，通過其SSI輸出協(xié)議提供具備高抗噪能力的絕對位置信息。 在機器人關節(jié)控制、工業(yè)電機換向及電動出行驅動系統(tǒng)等應用領域，市場對能夠提供高精度位置反饋的傳感器的需求日益增長，同... （來源：新品頻道）
Melexis機器人電感傳感器MLX90514 2025-12-10 16:02
2025年12月9日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP5156x芯片的雙通道隔離驅動IC評估板方案。 圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產品的IC評估板方案的展示板圖 當前，新能源及工業(yè)驅動市場正面臨高功率... （來源：解決方案頻道）
大聯(lián)大世平onsemiIC評估板 2025-12-9 14:15
在工業(yè)生產中，電機作為核心動力設備，其絕緣狀態(tài)直接關系到生產連續(xù)性與操作安全性。傳統(tǒng)兆歐表測量不僅依賴人工操作、效率低下，還存在高壓作業(yè)風險，難以滿足現代工業(yè)的智能化、自動化監(jiān)測需求。 沃倫森電氣推出的WRS-MTS2x系列低壓電機絕緣傳感器，以創(chuàng)新性技術替代傳統(tǒng)測量方式，實現電機絕緣的... （來源：新品頻道）
沃倫森傳感器 2025-12-2 14:16
在新能源汽車、高效能源轉換等關鍵系統(tǒng)中，功率器件的驅動與保護性能直接影響整機可靠性與能效表現。川土微電子全新推出的 CA-IS3217/8-Q1 系列增強型隔離柵極驅動器，目前已正式量產。該產品集成±10A強驅動、隔離ADC（精度±0.5% ，用于母線采樣）、原副邊ASC、快速DESAT保護與... （來源：新品頻道）
川土微電子柵極驅動器 2025-11-30 14:25
在全球能源格局深度調整、我國“雙碳”目標穩(wěn)步推進的歷史進程中，綠色低碳轉型已成為引領經濟高質量發(fā)展的必由之路。作為國家重點支持的戰(zhàn)略性新興產業(yè)方向，工業(yè)節(jié)能與能源數字化正迎來前所未有的發(fā)展機遇。 在這一時代背景下，廣能億能（北京）核能科技有限公司以原創(chuàng)科技和前瞻布局，... （來源：新聞頻道）
綠色未來 2025-11-10 17:02
在工業(yè)和能源領域，效率和控制精密度是核心訴求。納芯微NSSine™系列實時控制 MCU/DSP 再添新成員：中端算力新品 NS800RT5075，高性價比新品 NS800RT1025、NS800RT1035 正式發(fā)布。至此，NSSine™系列已實現 “高端-中端-入門級” 全檔位覆蓋，全系搭載高性能Cortex®-M7 內核與... （來源：新品頻道）
納芯微NSSineNS800RT5075NS800RT1035 NS800RT1025 2025-10-31 13:20
節(jié)省空間型器件高功率密度 > 650 W/in2，阻值低至0.3 mW，提高效率 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2025年10月30日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip® 檢流電阻---WSLF1206，采用小... （來源：新品頻道）
Vishay電阻器WSLF1206 2025-10-30 15:07
納芯微宣布推出新一代集成隔離電源的隔離采樣芯片NSI36xx系列，該系列是納芯微NSI13xx系列的全面升級，包括隔離電流放大器NSI360x系列、隔離電壓放大器NSI361x系列、內部集成比較器和單端比例輸出的NSI36C00R/NSI36C1xR系列。 NSI36xx系列可廣泛用于工業(yè)電機驅動、光伏逆變器、服務器電源、新能源汽... （來源：新品頻道）
納芯微隔離電源NSI36xx 2025-10-24 11:10
天成半導體繼第二季度研制出12英寸N型碳化硅單晶材料后，又依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設備，成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35㎜厚。 天成半導體現已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝，且自研的長晶設備可產出直徑達到350... （來源：新聞頻道）
碳化硅碳化硅單晶材料 2025-10-17 09:16
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