安森美基于全新GaN-on-GaN技術,其垂直GaN架構為功率密度、能效和耐用性樹立新標桿 核心摘要 隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增,安森美推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體,為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代&n... (來源:新聞頻道)
安森美垂直氮化鎵GaN半導體人工智能AI 2025-10-31 13:13
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,成功開發出在2012尺寸分流電阻器(10mΩ~100mΩ)領域實現業界超高額定功率的“UCR10C系列”產品。 在電流檢測領域,無論是車載市場還是工業設備市場,都要求分流電阻器能夠應對更大功率。另外,車載市場對高接合... (來源:新品頻道)
ROHMUCR10C電阻器 2025-10-22 10:18
電動汽車充電、電池儲能系統,以及商用、工程和農用車輛(CAV)等大功率應用場景,正推動市場對更高系統級功率密度與效率的需求,以滿足日益提升的性能預期。同時,這些需求也帶來了新的設計挑戰,例如,如何在嚴苛環境條件下實現可靠運行、在應對瞬態過載時如何保持穩定性,以及如何優化整體系統性能。... (來源:新品頻道)
英飛凌CoolSiC MOSFET 2025-10-20 10:14
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,成功開發出在2012尺寸分流電阻器(10mΩ~100mΩ)領域實現業界超高額定功率的“UCR10C系列”產品。 在電流檢測領域,無論是車載市場還是工業設備市場,都要求分流電阻器能夠應對更大功率。另外,車載市... (來源:新品頻道)
ROHM電阻器UCR10C 2025-10-14 14:46
在追求高效率、高功率密度和高可靠性的現代電力電子世界中,碳化硅技術正以前所未有的速度取代傳統硅基器件。魯光電子推出的LGE3D30120H,便是一款采用標準TO-247AC封裝的碳化硅肖特基二極管,它以其卓越的性能,成為中大功率應用領域升級換代的理想選擇。 一、LGE3D30120H主要參數 核心... (來源:新品頻道)
魯光LGE3D30120H碳化硅二極管 2025-10-13 11:32
作者:安森美 小到電動工具、割草機,大到叉車、托盤車及自動導引車等物料搬運設備,電池供電設備正日益成為工業和建筑領域的理想選擇。這類電池充電器系統必須兼具可靠性與耐用性,在惡劣的戶外工業環境中保持性能良好,同時滿足緊湊輕量化設計且無需強制冷卻。此外,這些電池充電器系統... (來源:技術文章頻道)
工業充電器PFC 2025-8-13 13:12
作者:安森美 碳化硅(SiC)功率開關器件正成為工業電池領域一種廣受歡迎的選擇,因其能夠實現更快的開關速度和更優異的低損耗工作,從而在不妥協性能的前提下提高功率密度。此外,SiC還支持 IGBT技術無法實現的新型功率因數拓撲結構。本文將介紹隔離式DC-DC功率級選擇。 隔... (來源:技術文章頻道)
充電器拓撲結構 2025-8-8 11:17
意法半導體發布STGWA30IH160DF2 IGBT,該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優異的熱性能和軟開關拓撲高效運行等優勢,特別適用于需要并聯使用的大功率家電應用場景,包括電磁爐、微波爐、電飯煲等電器。 該器件具備175℃最高結溫特性和優異的熱阻系數,可確保30A額定電流下的高效散熱表現,在嚴苛... (來源:新品頻道)
意法半導體IGBTSTGWA30IH160DF2 家電 2025-7-17 09:44
隨著技術的飛速發展,商業、工業、軍事及汽車等領域對耐高溫集成電路(IC)的需求持續攀升。高溫環境會嚴重制約集成電路的性能、可靠性和安全性,亟需通過創新技術手段攻克相關技術難題。通過深入分析高溫產生的根源,我們旨在緩解其引發的問題,從而增強集成電路在極端條件下的穩健性并延... (來源:技術文章頻道)
IC設計集成電路 2025-6-9 10:03
隨著AI數據中心的快速發展、電動汽車的日益普及,以及全球數字化和再工業化趨勢的持續,預計全球對電力的需求將會快速增長。為應對這一挑戰,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出EasyPACK™ CoolGaN™ 650 V晶體管模塊,進一步擴大其持續壯大的氮化鎵(GaN)功率產品... (來源:新品頻道)
英飛凌EasyPACK功率模塊氮化鎵 2025-5-15 16:01